1、GaN基LED和激光器結(jié)構(gòu)的MOCVD生長

　　金屬有機化學(xué)汽相沉積是生產(chǎn)氮化物基微電子器件和光電子器件最重要的方法。高亮度白光LED要替代白熾燈，其單位流明光輸出的價格必須大幅下降。要達到這個目的，就要更好的理解GaN的生長過程和生長重要性。而且，批量LED生產(chǎn)需要具有可靠的在位過程控制的多片生產(chǎn)設(shè)備。對于全球的LED生產(chǎn)商來說，重要的任務(wù)之一便是生產(chǎn)成品率的優(yōu)化。因此，外延片徑向上的波長一致性的改善是至關(guān)重要的。

　　對于藍光和白光LED來說，因為GaN襯底的價格一直比較昂貴，所以(Al、In、Ga)N之類的薄膜通常生長在藍寶石或者碳化硅這種異質(zhì)襯底上。由于在襯底和外延層存在晶格失配和熱膨脹系數(shù)不同等問題，氮化物生長過程中會引起應(yīng)力積累，造成很大的晶片彎曲。

　　在生長過程中晶片玩去導(dǎo)致的一個重要影響是晶片和襯底支架間熱接觸的變化。這對于含In化合物尤其重要。因為在MOCVD生長中In組分對溫度非常敏感，這就意味著生長過程中的彎曲會引起器件有源區(qū)的不均勻。

　　因此，為了優(yōu)化生產(chǎn)工藝，了解在位檢測在不同生長溫度下的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異對總應(yīng)力的影響是非常重要的。

　　2、如何消除彎曲

　　在藍光和綠光波長范圍內(nèi)，器件的有源區(qū)由InGaN多量子阱構(gòu)成。在InGaN生長環(huán)境下，減少晶片的彎曲可以直接改善組分的均勻性和光電器件的產(chǎn)率。本文通過實驗，仔細研究了襯底特性、生長溫度和應(yīng)變補償層對晶片彎曲的影響。以改善光輸出的均勻性。