目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目“基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)”，經(jīng)過近三年的研制開發(fā)，目前已通過科技部項(xiàng)目驗(yàn)收。

　　1 Si襯底LED芯片制造

　　1.1 技術(shù)路線

　　在Si襯底上生長(zhǎng)GaN，制作LED藍(lán)光芯片。

　　工藝流程：在Si襯底上生長(zhǎng)AlN緩沖層→生長(zhǎng)n型GaN→生長(zhǎng)InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層→生長(zhǎng)p型AIGaN層→生長(zhǎng)p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測(cè)試→包裝。

　　1.2 主要制造工藝

　　采用Thomas Swan CCS低壓MOCVD系統(tǒng)在50 mm si(111)襯底上生長(zhǎng)GaN基MQW結(jié)構(gòu)。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源、三甲基鋁(TMAI)為Al源、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣(NH3)為N源、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑。首先在Si(111)襯底上外延生長(zhǎng)AlN緩沖層，然后依次生長(zhǎng)n型GaN層、InGaN／GaN多量子阱發(fā)光層、p型AlGaN層、p型GaN層，接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸，然后通過熱壓焊方法把外延層轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電基板上，再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層，使用堿腐蝕液對(duì)n型面粗化后再形成n型歐姆接觸，這樣就完成了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制作。結(jié)構(gòu)圖見圖1。

　　從結(jié)構(gòu)圖中看出，Si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極、Si基板、粘接金屬、金屬反射鏡(p歐姆電極)、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布，襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。