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新一代GaN襯底技術(shù) 可大大提升LED制造良率

上傳人:未知

上傳時(shí)間: 2009-04-20

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  Inlustra公司目前正在擴(kuò)充生產(chǎn)線,并已經(jīng)開(kāi)始接受客戶的訂單;該公司目前所提供的非極性GaN襯底,其規(guī)格為5×10mm、10×20mm,不過(guò)在未來(lái)的9到12個(gè)月內(nèi),可以將其制程擴(kuò)展到2英吋。該公司的首席技術(shù)官Paul Fini在一份聲明中表示:“我們的專利外延技術(shù)可顯著減少襯底的缺陷數(shù)量,因而有助于客戶提升組件量產(chǎn)時(shí)的良率。”

  Inlustra的目標(biāo)市場(chǎng)是LED相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域;GaN材料對(duì)于綠色、藍(lán)色、紫色,以及超紫外光產(chǎn)品十分重要。“更重要的是,GaN白光LED適用于普通照明,這將成為一種高效率、無(wú)毒性的日光燈與白熾燈泡替代品;可在未來(lái)20年內(nèi)節(jié)省50億桶石油。”該公司引述美國(guó)能源部的數(shù)據(jù)指出。

  GaN是LED的關(guān)鍵技術(shù);根據(jù)Inlustra提供的資料:“GaN具有晶體結(jié)構(gòu),某些部分有強(qiáng)烈的方向性。該結(jié)構(gòu)非極性和半極性的面引起了研究人員的濃厚興趣,希望能用以取代傳統(tǒng)的極性GaN的c面(c-plane);因?yàn)楹笳哒媾R著一些基礎(chǔ)性的組件效率限制。與傳統(tǒng)GaN技術(shù)相較,非極性和半極性GaN可以顯著提高組件性能、制造良率與組件壽命。”

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