半導(dǎo)體照明被譽(yù)為第三代照明技術(shù)并在世界范圍內(nèi)引起廣泛的關(guān)注，其核心技術(shù)和競爭領(lǐng)域主要是在整個產(chǎn)業(yè)鏈的上游，即外延和芯片。近年來，半導(dǎo)體照明功率型LED芯片技術(shù)的研究和開發(fā)得到長足的發(fā)展，半導(dǎo)體照明也將在未來幾年內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。在所有可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的相關(guān)材料中，氮化鎵（GaN）基材料是最重要的，也是最有希望真正意義上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的材料。GaN基發(fā)光二極管（Light-Emitting Diode, LED）材料與器件是當(dāng)前研究開發(fā)和商業(yè)化的重點(diǎn)與熱點(diǎn)。

　　國外半導(dǎo)體照明芯片技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀

　　目前，Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少數(shù)幾家國外公司是國際上主流的照明級LED芯片及器件制造商，他們具有各自獨(dú)特的外延和芯片技術(shù)路線，各家所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品封裝白光器件的發(fā)光效率普遍超過100lm/W（見表1）。下面簡要地介紹當(dāng)前各家公司的工藝技術(shù)路線和產(chǎn)品現(xiàn)狀。

　　美國Cree公司是目前世界上采用SiC作為襯底材料制造藍(lán)光發(fā)光二極管用外延片和芯片的專業(yè)公司之一，其在不斷改善外延品質(zhì)及提高內(nèi)量子效率的同時，采用了薄膜（Thin-film）芯片技術(shù)大幅度提升產(chǎn)品亮度，薄膜芯片技術(shù)即利用襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)將發(fā)光層倒裝在Si襯底上，薄膜芯片技術(shù)可以有效地解決芯片的散熱問題和提高取光效率。Cree公司的功率LED芯片產(chǎn)品EZ系列采用薄膜芯片技術(shù)已經(jīng)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的光效水平，據(jù)2009年底的報道顯示，Cree冷白光LED器件研發(fā)水平已經(jīng)達(dá)到186lm/W，這是功率型白光LED有報道以來的最好成績。

　　日本Nichia公司是世界上最早的半導(dǎo)體白光生產(chǎn)廠商，技術(shù)水平始終處于國際領(lǐng)先的地位。在藍(lán)光芯片的技術(shù)路線上，Nichia采用圖形化藍(lán)寶石襯底外延生長技術(shù)結(jié)合ITO透明導(dǎo)電層芯片工藝，產(chǎn)品性能表現(xiàn)優(yōu)越，特別是小功率芯片，最新的報道甚至達(dá)到245lm/W的性能指標(biāo)。Nichia的功率型芯片也是基于正裝結(jié)構(gòu)，2008年Nichia公司宣布其功率LED產(chǎn)品光效達(dá)到 145lm/W，芯片規(guī)格為1mm×1mm。