采用光生伏特效應(yīng)的LED芯片在檢測方法上的研究(上)

上傳人：李戀，李平

上傳時間： 2009-12-16

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式中：d是pn結(jié)的厚度，α為半導(dǎo)體材料的吸收系數(shù)，與材料本身、摻雜濃度以及激勵光的波長有關(guān)，P(x)是在pn結(jié)內(nèi)位置算處(假定pn結(jié)表面坐標(biāo)位置為0)的激勵光強(qiáng)度^[13]，表示為：

式中：P₀是在pn結(jié)表面的激勵光強(qiáng)度。

　　根據(jù)愛因斯坦關(guān)系式，電子和空穴的擴(kuò)散長度L_n和L_p可表示為

式中：K_B為玻爾茲曼常數(shù)，T為開氏溫度，μ_n、μ_p分別為電子、空穴遷移率，與材料本身、摻雜濃度以及溫度有關(guān)，

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