三安在化合物半導體領(lǐng)域的布局

　　定增募集資金投向化合物半導體項目

　　公司2015年公布定向增發(fā)，募集資金投入到廈門光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目及通訊微電子器件(一期)項目。

　　據(jù)公司最新定期報告，化合物半導體業(yè)務已有多家客戶參與試樣驗證，部分芯片已通過性能驗證，部分客戶已開始少量出貨。公司2016年三安集成實現(xiàn)1725.96萬元銷售收入，公司后續(xù)將盡快完成其他產(chǎn)品的認證，加快新設(shè)備采購進度，加快并購步伐并盡快落實項目，提升核心競爭力和盈利能力。

　　聯(lián)手大基金做大做強

　　2015年6月，三安集團將福建三安持有的三安光電2.17億股股份(約占總股本的9.07%)轉(zhuǎn)讓給集成電路產(chǎn)業(yè)基金，轉(zhuǎn)讓總金額為48.39億元，同年12月集成電路產(chǎn)業(yè)基金通過非公開發(fā)行擬投入16億用于通訊微電子器件(一期)項目，以GaAs和GaN等III-V族半導體為核心打造集成電路產(chǎn)業(yè)。至此，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金正式成為公司的第二大股東。產(chǎn)業(yè)基金的入股，表明三安光電的技術(shù)實力和產(chǎn)品能力得到了認可，同時也奠定了未來三安光電在化合物半導體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)龍頭地位。

　　融資實力得到大幅提升，2016年公司與國開行共同簽署《開發(fā)性金融合作協(xié)議》，《合作協(xié)議》通過并購貸款、項目貸款，集團統(tǒng)借等方式與公司更加深度的合作，并且也拉開了國開行300 億資金重點布局LED芯片、集成電路等領(lǐng)域的序幕。受到了注資的三安，能有更多的余力實現(xiàn)并購或者項目拓展，表現(xiàn)值得期待。

　　與GCS合作共贏

　　2016年11月，公司與GCS成立合資公司——廈門三安環(huán)宇集成電路有限公司，其中三安光電出資204萬美元，占比51%。GCS擁有先進成熟的生產(chǎn)工藝技術(shù)，沒有足夠的產(chǎn)能;三安光電則處于工藝的摸索階段，有先進的設(shè)備和足夠的產(chǎn)能。兩者結(jié)合可以以迅速提升公司在射頻通訊和光通訊元件技術(shù)水平和專利平臺的構(gòu)筑，廣闊的客戶網(wǎng)絡(luò)與公司現(xiàn)有業(yè)務技術(shù)與產(chǎn)能形成互補，為公司集成電路開拓海內(nèi)外市場提供強有力保障，有利于加快公司集成電路業(yè)務的發(fā)展進程，擴大業(yè)務范圍及規(guī)模，提高公司盈利水平，提升公司核心競爭力。

　　為服務RFIC/MMIC行業(yè)，GCS提供廣泛的III-V族化合物半導體制程技術(shù)組合，包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技術(shù)，以提升客戶產(chǎn)品性能和市場競爭力。公司的GaAs PHEMT工藝可以制作低成本手機開關(guān)、高達40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪聲放大器芯片(LNA)等。此外，硅基氮化鎵射頻功率放大器(RF PA)的制程技術(shù)也已經(jīng)通過大批量生產(chǎn)所需的驗證。

　　GCS正在開發(fā)氮化鎵制程技術(shù)，以供功率電子的應用，諸如太陽能逆變器、風力發(fā)電機、traction、不斷電的電力供應器(UPS)、馬達驅(qū)動及混合電動車/全電動汽車。　

　　GaN功率電子的工藝技術(shù)為0.5um的制程，包括Si基GaN技術(shù)和SiC基GaN技術(shù)兩種。相比較而言，Si基GaN產(chǎn)品成本更低，而SiC基GaN產(chǎn)品性能更好。

　　我們認為，伴隨著LED芯片行業(yè)產(chǎn)能逐漸出清，行業(yè)集中度正在快速提升，行業(yè)供需存異推進價格理性、三安作為行業(yè)龍頭將充分享受寡頭紅利。未來兩年公司LED業(yè)務將持續(xù)享受市場高景氣下訂單與價格的雙重利好。

　　化合物半導體將打開公司未來新的成長空間，全球范圍內(nèi)5G、軍工、功率電子等領(lǐng)域?qū)τ谏榛?氮化鎵器件的需求正在迅速增加，三安光電依托大基金，在人才、技術(shù)和產(chǎn)能上快速積累，有望迅速做大做強，成為化合物半導體領(lǐng)域的臺積電。

　　三安光電基本面不斷給市場以驚喜，在行業(yè)供需格局的加持與公司自身不斷進步之下，我們看好未來三安成為全球芯片業(yè)巨頭的實力，一季度的高增長將只是一個起點，因此我們持續(xù)重點推薦，并上調(diào)盈利預測至2017-2019年EPS分別為0.72、0.93、1.15