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三安光電絕非LED勢頭猛 三年內(nèi)將再打造一個(gè)行業(yè)龍頭

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2017-04-19 作者: 來源:長江電子 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 合物半導(dǎo)體將打開公司未來空間。行業(yè)層面看,5G通信、功率電子對于砷化鎵/氮化鎵材質(zhì)的需求將更進(jìn)一步,產(chǎn)業(yè)鏈形成fabless+fab的模式將是必然,未來三安在化合物領(lǐng)域?qū)⒓耐幸試蚁M?,成長為類似于臺(tái)積電這樣的全球化的制造龍頭,開啟類似于臺(tái)積電的成長模式將非常值得期待。

  化合物半導(dǎo)體布局未來

  公司對化合物半導(dǎo)體材料并不陌生,LED芯片便是使用GaAs和GaN的外延片生產(chǎn)的?;衔锇雽?dǎo)體射頻及功率芯片相比于LED芯片需要更復(fù)雜的生產(chǎn)工藝和生產(chǎn)流程,是對化合物半導(dǎo)體材料應(yīng)用的延伸。

  化合物半導(dǎo)體行業(yè)情況

  第一代半導(dǎo)體材料Si的應(yīng)用,標(biāo)志著人類邁進(jìn)了信息化時(shí)代; 從2000年開始,化合物半導(dǎo)體市場逐步擴(kuò)大,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、碳化硅為首的半導(dǎo)體材料應(yīng)用增多。

  GaAs 一直主導(dǎo)手機(jī)功率放大器(PA)市場,帶動(dòng)了無線通信、多媒體等技術(shù)的飛速發(fā)展,同時(shí)還可以用來生產(chǎn)紅黃光發(fā)光二極管、激光器等光信息處理元器件。GaN 早在20 世紀(jì)50 年代就已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)并研究,但是由于工藝的限制,產(chǎn)業(yè)化一直難以解決, 直到近一二十年,寬禁帶半導(dǎo)體的研究和應(yīng)用才得到了真正的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。

  與傳統(tǒng)Si半導(dǎo)體相比的優(yōu)勢

  GaAs 一直主導(dǎo)手機(jī)功率放大器(PA)市場,帶動(dòng)了無線通信、多媒體等技術(shù)的飛速發(fā)展,同時(shí)還可以用來生產(chǎn)紅黃光發(fā)光二極管、激光器等光信息處理元器件。GaN 早在20 世紀(jì)50 年代就已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)并研究,但是由于工藝的限制,產(chǎn)業(yè)化一直難以解決, 直到近一二十年,寬禁帶半導(dǎo)體的研究和應(yīng)用才得到了真正的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。

  第二代半導(dǎo)體代表:GaAs

  GaAs主要適用于高頻及無線通信領(lǐng)域中的IC 器件。由GaAs 制出的高頻、耐高溫、防輻射的器件已經(jīng)被應(yīng)用在無線通信、光通信、激光器等領(lǐng)域,在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、國防和航空航天等產(chǎn)業(yè)。

  

  在手機(jī)無線網(wǎng)絡(luò)中,系統(tǒng)中的無線射頻模組必定含有兩個(gè)關(guān)鍵的砷化鎵半導(dǎo)體零組件:射頻功率放大器(HBT工藝)和射頻開關(guān)器(pHEMT)。目前一部4G手機(jī)平均使用7顆PA和4個(gè)射頻開關(guān)器,未來隨著4G手機(jī)、5G手機(jī)滲透率不斷提升,手機(jī)用的砷化鎵元件還將不斷增長。

  砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈包括外延片、IC 設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試四個(gè)環(huán)節(jié),采用IDM 模式的廠商主要有Skyworks、Qorvo、Avago 等;外延片廠商主要有IQE、Emcore、全新等; IC 設(shè)計(jì)廠商主要有Microchip、Microsemi、和茂、銳迪科等;晶圓制造廠商主要有GCS、穩(wěn)懋、宏捷科技、三安光電等;封測廠商主要有同欣、菱生、臺(tái)達(dá)電等。

  第三代半導(dǎo)體代表:GaN

  GaN是寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表,較高的禁帶寬度決定了由其制造的半導(dǎo)體器件可以在高壓、高溫的環(huán)境中正常工作。過去十年,GaN已在多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大影響,在光電方面它已對高亮發(fā)光二極管(HBLED)的發(fā)展和增殖發(fā)揮重要作用,在無線通訊方面它已被用于高功率射頻(RF)設(shè)備如高電子遷移率晶體管(HEMT)和單片微波集成電路(MMIC)?,F(xiàn)在在電源應(yīng)用中廣泛采用GaN有著巨大的潛力。

  由于氮化鎵的應(yīng)用范圍主要在中低功率產(chǎn)品,Yole由此預(yù)估,氮化鎵半導(dǎo)體材料在2015年至2021年期間成長率達(dá)到83%,其中電源應(yīng)用占比較大,達(dá)到近60%;相比而言,碳化硅由于市場空間小,成長相對緩慢,成長率在21%左右。

  化合物半導(dǎo)體的前景吸引著世界半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)都在加緊布局,主要廠商有Skyworks、Qorvo、Avago,其中晶圓制造廠商主要有GCS、穩(wěn)懋、宏捷科技、三安光電等。其中市場前景廣闊的氮化鎵,受到全球領(lǐng)先產(chǎn)商有被英飛凌收購的Cree與日本住友的青睞。

  我國化合物半導(dǎo)體受到國家扶持。其中,三安光電作為集成電路大基金扶持的代工企業(yè),已經(jīng)在我國GaN產(chǎn)業(yè)鏈中起到不可比擬的作用,業(yè)務(wù)涵蓋了上游原材料供應(yīng)與設(shè)備制造等環(huán)節(jié)。

  2019年GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)??茖⑦_(dá)22億美元,維持20%以上的年均增速,成為化合物半導(dǎo)體市場增速最快的細(xì)分領(lǐng)域之一。需求量的增加主要來自于GaN 材料器件帶來的器件在性能方面的提高,以及由于重量、尺寸等縮小打來的便捷性和經(jīng)濟(jì)性。

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