摘要：采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在鍍Cr(20nm)的玻璃襯底上,低溫制備了ZnO納米線(xiàn)陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線(xiàn)衍射(XRD)對(duì)樣品的表面形貌和微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析表征。結(jié)果表明:源分解溫度1350℃,襯底溫度450～500℃,氬氣流量為35sccm時(shí),ZnO納米線(xiàn)在玻璃襯底上呈現(xiàn)有序生長(zhǎng);XRD譜圖中只觀(guān)測(cè)到ZnO(002)衍射峰。表明制備的納米線(xiàn)陣列具有高度c軸擇優(yōu)取向生長(zhǎng)特性和較高的結(jié)晶質(zhì)量。

　　近年來(lái)，基于一維納米結(jié)構(gòu)如納米線(xiàn)、棒、帶和管在載流子的注入與傳輸方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)和更適于納米尺度器件的制備，而受到越來(lái)越多的關(guān)注[1～3]。合成、表征和研究一維納米材料有利于研究低維系統(tǒng)的維度與量子限制效應(yīng)對(duì)系統(tǒng)的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性質(zhì)的影響，有助于研究納米尺度電子學(xué)、光電子學(xué)單元器件的功能性質(zhì)，有益于開(kāi)發(fā)出高性能的新一代納米器件。

　　基于有序ZnO納米線(xiàn)的電子傳輸性好、合成工藝簡(jiǎn)單、成本低、毒性低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，ZnO納米線(xiàn)陣列在染料敏化太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極的應(yīng)用研究方面已成為一種重要的材料[4～7]。相對(duì)于高溫下生長(zhǎng)的V-L-S(氣-液-固)機(jī)制以金、銀[8]作為催化劑，本文選用Cr作為催化劑，實(shí)現(xiàn)了ZnO納米線(xiàn)陣列的低溫生長(zhǎng)。

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