高亮度LED就可代替現(xiàn)在還在生產的白熾燈和各種熒光燈。高亮度LED的一個顯著優(yōu)點是其壽命是用數(shù)十年來衡量的。

　　多種高亮度LED的光子向各個方向發(fā)射，包括向基板方向的下方。如果基板有比LED發(fā)光區(qū)小的帶隙，基板會吸收大約一半的反射光，這就大大減少了光的輸出。如果把一片含有發(fā)光二極管的晶圓粘結到一片具有高反射率表面的基板晶圓上，基板晶圓還有能散熱，射向基板的光將被反射回并穿過發(fā)射區(qū)，這就大大提高了總光亮輸出。

　　許多材料，如硅，砷化鎵，氮化鎵，磷化鎵，和藍寶石等，可用來制作LED.在復合半導體上生長出光子層并轉移到硅或相似的材料的支撐晶圓上，并且晶圓的背面是暴露出來的?，F(xiàn)在復合半導體只有大到4英寸。這就限制了LED晶圓與晶圓的結合的大小只有2到4英寸的直徑。另外一個問題就是兩個需要粘結的晶原有不同的熱膨脹系數(shù)而導致粘結過程非常緩慢。因為每次只能粘結一對晶圓，這就限制了高亮度LED的生產率，單位成本也很高。這些限制可通過使用新開發(fā)的SUSS晶圓粘結裝置來突破，這個裝置可實現(xiàn)多對晶圓的同步粘結。

　　以氮化鎵為原料的高亮度LED生產有兩種方法：即金-金熱壓和金錫共熔粘結。在金-金熱壓粘結過程中，一層1至3微米厚的金和阻隔粘結層被涂在每片晶圓上。為了消除表面污染影響固態(tài)擴散機理，需進行幾個步驟的清洗（紫外臭氧或化學濕處理）。粘結時的溫度是250°to400°，壓力是1至7MPa,時間從幾分鐘到幾小時。低溫時需增加時間和壓力。如果時間和壓力不夠，通常晶圓與晶圓間只有局部的結合。

　　錫金共熔法是通過固體與液體的擴散而形成金屬間化合的合金來達到粘結的。一晶圓涂了一層薄金，而另一晶圓涂了一層厚度可達5微米的金錫。必要時可涂擴散阻隔層。為避免錫在高溫時氧化，晶圓粘合需在氣體中進行，如在氮氫混合氣（95%N2,5%H2）中。這種方法只需低壓和用比熔點稍高的溫度，可在幾分鐘內完成粘結。