不同襯底生長ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與發(fā)光特性研究
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上傳人：戴建明、馮建強、張瑞麗、袁廣宇、劉強春、王紅艷 上傳時間： 2013-01-23 瀏覽次數(shù)： 35 |
| 作者 | 戴建明、馮建強、張瑞麗、袁廣宇、劉強春、王紅艷 |
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| 單位 | 淮北煤炭師范學(xué)院物理系、中科院固體物理研究所內(nèi)耗與固體缺陷開放實驗室 |
| 分類號 | O484.4 |
| 發(fā)表刊物 | 《淮北煤師院學(xué)報(自然科學(xué)版)》 |
| 發(fā)布時間 | 2004年 |
摘要：采用射頻磁控濺射方法分別在藍(lán)寶石(Al2O3)(0001)和硅(100)襯底上制備ZnO薄膜.通過X-光衍射測量與分析表明兩者都沿C軸方向生長,在Al2O3襯底上的ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量優(yōu)于在Si襯底上的薄膜樣品.然而,由原子力顯微鏡觀測發(fā)現(xiàn)在Al2O3襯底上的薄膜晶粒呈不規(guī)則形狀,且有孔洞,致密性較差;而在Si襯底上的ZnO薄膜表面呈較規(guī)則的三維晶柱,致密性好.光致發(fā)光測量表明,不同襯底上生長的ZnO薄膜表現(xiàn)出明顯不同的發(fā)光行為。
1引言近年來,由于藍(lán)綠光發(fā)光管、激光器及其相關(guān)器件的巨大應(yīng)用前景,使得對這類發(fā)光材料的研究成為關(guān)注的焦點,其中以GaN及其相關(guān)材料的研究最為引人注目.相比而言,ZnO材料的研究則沒有受到足夠的重視.事實上,ZnO不但和GaN具有非常相近的晶格特性和電學(xué)特性,而且ZnO具有更高......
目錄
1、引言
2、實驗
3、結(jié)果與討論
4、結(jié)論
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