Al_2O_3/Si(001)襯底上GaN外延薄膜的制備
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上傳人：汪連山,劉祥林,昝育德,汪度,王俊,陸大成,王占國 上傳時間： 2011-08-15 瀏覽次數(shù)： 216 |
| 作者 | 汪連山,劉祥林,昝育德,汪度,王俊,陸大成,王占國 |
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| 單位 | 中國科學院半導體研究所 |
| 分類號 | O484 |
| 發(fā)表刊物 | 中國科學E輯 |
| 發(fā)布時間 | 1998年01期 |
氮化鎵室溫下的直接能帶隙寬度是3.39eV,它能應(yīng)用于制作藍光、紫光、紫外光二極管和激光管等發(fā)光器件和高溫電子器件[1～3],因此近年來ⅢⅤ族氮化物材料已成為半導體材料領(lǐng)域的熱點之一,由于使用氮化鎵或氮化鋁緩沖層,外延氮化鎵薄膜的質(zhì)量顯著改進[4,5].對摻鎂氮化鎵進行……
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