最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步，LED的應(yīng)用越來越廣;隨著LED應(yīng)用的升級，市場對于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展。

　　對于高功率LED的設(shè)計(jì)，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)，另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。就第一種做法而言，其製程和一般小尺寸晶粒幾乎相同，換句話說，兩者的剖面結(jié)構(gòu)是一樣的，但有別于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大電流之下，一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的P、N電極設(shè)計(jì)，都會導(dǎo)致嚴(yán)重的電流叢聚效應(yīng)(Current crowding)，其結(jié)果除了使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮度外，也會損害晶片的可靠度(Reliability)。

　　當(dāng)然，對上游晶片製造者/晶片廠而言，此作法製程相容性(Compatibility)高，無需再添購新式或特殊機(jī)臺，另一方面，對于下游系統(tǒng)廠而言，週邊的搭配，如電源方面的設(shè)計(jì)等等，差異并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要將電流均勻擴(kuò)散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困難;同時(shí)，由于幾何效應(yīng)的關(guān)係，大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

圖：低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅(qū)動方式的差異

　　第2種做法較第1種復(fù)雜許多，由于目前商品化的藍(lán)光LED幾乎都是成長于藍(lán)寶石基板之上，要改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，必須先和導(dǎo)電性基板做接合之后，再將不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板予以移除，之后再完成后續(xù)製程;就電流分布而言，由于在垂直結(jié)構(gòu)中，較不需要考慮橫向傳導(dǎo)，因此電流均勻度較傳統(tǒng)水準(zhǔn)結(jié)構(gòu)為佳;除此之外，就基本的物理塬理而言，導(dǎo)電性良好的物質(zhì)也具有高導(dǎo)熱的特質(zhì)，藉由置換基板，我們同時(shí)也改善了散熱，降低了接面溫度，如此一來便間接提高了發(fā)光效率。但此種做法最大的缺點(diǎn)在于，由于製程復(fù)雜度提高，導(dǎo)致良率較傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)低，製作成本高出不少。