TDI用HVPE法制造出高品質(zhì)InGaN
上傳人:未知 上傳時間: 2007-09-03 瀏覽次數(shù): 50 |
在8月22日-24日舉行的第四屆中國(上海)國際半導(dǎo)體照明論壇及展覽會上,TDI公司展示了其成果。盡管作為原理認(rèn)證結(jié)構(gòu),展出的LED現(xiàn)在只工作在µW功率級,但可發(fā)出450-490nm的藍(lán)光, 發(fā)出的綠光波長則在490-510nm之間。TDI斷言在材料品質(zhì)與HVPE潛在經(jīng)濟(jì)性結(jié)合基礎(chǔ)上取得的進(jìn)步將產(chǎn)生出非常有吸引力的產(chǎn)品。
TDI高級生長專家Alexander Syrkin稱如果大規(guī)模、長期運轉(zhuǎn),HVPE將證明其是一個更經(jīng)濟(jì)的方法。利用其他方法(如MOCVD)生長厚膜基礎(chǔ)層是不現(xiàn)實的,因為你需要花10-20小時才能生長出10-20微米的厚膜,而使用HVPE則只需10分鐘。Syrkin告訴compoundsemiconductor.net,TDI正在努力將最近的成果轉(zhuǎn)化為商品,盡管目前還未決定可能采取的步驟,至少TDI將繼續(xù)基于其LED技術(shù)開發(fā)材料。在制備黃光及可能的紅光LED以前,TDI正在增加InGaN在LED結(jié)構(gòu)中的比例。
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