藍(lán)光LED襯底材料比較主要在兩個方面：

　　Ⅰ、LED用藍(lán)寶石(Al2O3)襯底

　　目前由于GaN襯底供應(yīng)緊缺(主要是技術(shù)難度高)且價格昂貴，GaN基LED的大批量商業(yè)化生產(chǎn)主要采用藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底，而后者因?yàn)槌杀疽蛩睾蛯＠麎艛?，業(yè)界最普遍采用的是藍(lán)寶石襯底。藍(lán)寶石襯底仍有如下缺點(diǎn)：

　　1)由于GaN和藍(lán)寶石之間有較大的晶格失配和熱應(yīng)力失配，由此造成10E9cm-2的失配位錯，嚴(yán)重影響晶體質(zhì)量，降低LED的發(fā)光效率;

　　2)藍(lán)寶石是絕緣體，常溫下電阻率大于10E11Ωcm，這樣就無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件，只能在外延層上表面制作N型和P型電極(平面結(jié)構(gòu)LED芯片)，從而使有效發(fā)光面積減小，同時增加了器件制備中的光刻和刻蝕工藝過程，使材料的利用率大大降低;

　　3)藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性能不好，在 1000℃熱導(dǎo)率約為0.25 W/cm.K，這對于GaN基器件的性能影響很大，特別是在大面積大功率器件中，散熱問題非常突出。

　?、颉D形化藍(lán)寶石襯底(PSS)

　　圖形襯底技術(shù)通過在藍(lán)寶石襯底表面制作具有細(xì)微結(jié)構(gòu)的圖形，然后在這種圖形化的襯底表面進(jìn)行LED材料外延，圖形化的界面改變了GaN材料的生長過程。表面的圖形為GaN生長提供了多種生長晶向的選擇，而GaN沿圖形表面生長速率不同，從而達(dá)到了使晶格失配位錯在襯底生長區(qū)發(fā)生彎曲并合攏，有效的抑制缺陷向外延表面的延伸，提高器件內(nèi)量子效率。PSS襯底技術(shù)以其簡單的工藝、相對低廉的成本、可以顯著改善LED器件的性能，成為現(xiàn)階段各大LED生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)開發(fā)高亮度大功率LED器件的首選襯底材料。