近日，廣東深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司，成功開發(fā)了國內(nèi)首臺專用于大規(guī)模高質(zhì)量ZnO半導(dǎo)體透明導(dǎo)電薄膜材料生長的量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備。

　　ZnO生長設(shè)備主要為MBE、MOCVD、濺射機(jī)和PLD等小型研究性設(shè)備，生產(chǎn)成本比較高，其中，采用MOCVD設(shè)備成膜速度快、大面積、均勻、多片一次生長、符合產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展要求。但是，目前利用量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備大規(guī)模生產(chǎn)ZnO透明電極的方法，在國內(nèi)甚至是整個(gè)LED業(yè)界還是空白。

　　捷佳偉創(chuàng)稱其與中山大學(xué)佛山研究院合作開發(fā)的量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備，利用該設(shè)備制備的ZnO基透明導(dǎo)電薄膜可用于制作超高亮LED芯片的透明電極以增強(qiáng)出光效率，目前已有成套技術(shù)可規(guī)模生產(chǎn)制備封裝后發(fā)光光效達(dá)到130lm/w以上大功率高亮度照明級的GaN基外延片和各種尺寸的發(fā)光二極管芯片，應(yīng)用于下游LED室內(nèi)外照明產(chǎn)品，將有助于LED制造企業(yè)提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低產(chǎn)品價(jià)格，對LED產(chǎn)業(yè)示范推廣工程的順利開展以及LED加速進(jìn)入民用照明具有重大意義。

　　目前關(guān)于ZnO的專利主要集中在ZnO透明導(dǎo)電薄膜在光電子器件和太陽能電池中的應(yīng)用領(lǐng)域。ZnO作為LED的透明電極，大多數(shù)專利集中在通過表面處理和工藝技術(shù)來改良?xì)W姆接觸界面性能和通過外延生長改良p型材料表面以提高隧穿幾率這兩方面，但是MOCVD制備大規(guī)模ZnO材料的專利還比較少。

　　捷佳偉創(chuàng)公司是一家光伏設(shè)備及綠色能源產(chǎn)業(yè)專用設(shè)備制造商，一直關(guān)注國內(nèi)外MOCVD技術(shù)發(fā)展，部分參與項(xiàng)目研發(fā)人員曾從事過較長時(shí)間的十五“863”攻 關(guān)項(xiàng)目GaN-MOCVD設(shè)備6片機(jī)的研究，承擔(dān)了其心臟部分反應(yīng)器的攻關(guān)研制，獲得了中試驗(yàn)證，并受到了科技部領(lǐng)導(dǎo)的鼓勵。為了拓展公司在LED照明等 光電行業(yè)方面的應(yīng)用市場，捷佳偉創(chuàng)不停地在尋找光電方面的合作伙伴。