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Veeco發(fā)表用于生產(chǎn)HB LED的MaxBright? GaN MOCVD

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2011-02-10 作者:(編輯:tOm) 來源:新世紀LED網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 近日,世界級MOCVD廠商-Veeco宣布:其引進的TurboDisc ? MaxBright?氮化鎵(GaN)有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)多反應(yīng)器系統(tǒng),用于生產(chǎn)HB-LED。

  日前,Veeco宣布,其引進的TurboDisc ® MaxBright™氮化鎵(GaN)有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)多反應(yīng)器系統(tǒng),用于生產(chǎn)HB LED。

  Veeco介紹,MaxBright利用Veeco的FlowFlange ®集群架構(gòu)自動化技術(shù)和專業(yè)知識在一個模塊化的兩個或四個反應(yīng)器通過組合多個、新、高通量金屬有機化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器。

  該MaxBright反應(yīng)堆,在K465i的基礎(chǔ)上經(jīng)過生產(chǎn)驗證,既要擴大晶圓的生產(chǎn)能力和先進、專有的、封閉循環(huán)熱控技術(shù),同時擴大-均勻性、重復(fù)性和材料的質(zhì)量。MaxBright MOCVD系統(tǒng)可提供生產(chǎn)能力達216 × 2,56 × 4,24 × 6或12 × 8晶圓。此外,無縫轉(zhuǎn)移K465i配方MaxBright能使客戶實現(xiàn)快速生產(chǎn)。

  同時,Veeco相關(guān)人士指出,“MaxBright的價值主張是明確的:它是最高的生產(chǎn)力MOCVD系統(tǒng)制造高亮度LED市場上。該架構(gòu)支持單腔或多腔層的生長能力,提高LED結(jié)構(gòu)過程的靈活性高要求。 MaxBright的緊湊型架構(gòu)還允許一個獨立的金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)足跡效率增益高達2.5倍??傮w而言,MaxBright提供了500%的增值比較緊湊封裝的K465i以靈活的。”

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