覆晶結(jié)構(gòu)封裝工藝及特點(diǎn)
覆晶結(jié)構(gòu)主要由基板、焊球、晶片組成。其中基板由板材層、絕緣層、線路層、反射層、焊盤組成。
我們接著分析覆晶結(jié)構(gòu)的核心工藝――固晶連接，目前覆晶結(jié)構(gòu)主要采用共晶焊工藝將芯片與基板相連接。
通常覆晶結(jié)構(gòu)的LED共晶金屬層一般為金/錫含金、共晶溫度為285℃。共晶焊有上述的這些優(yōu)點(diǎn)，所以特別適合應(yīng)用于大功率有高散熱要求器件的焊接。白光LED器件就很合適。
我們大致了解了下共晶焊的基本知識(shí)，那么覆晶結(jié)構(gòu)封裝固晶連接具體方式有哪些呢?
接下來(lái)我們分別講下各種固晶連接方式的特點(diǎn)：
△目前大部分高端覆晶結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品都采用這樣結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品光效已超過正裝產(chǎn)品。
