想更詳細了解芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的對比，可直接百度。下面我詳細分析一下采用覆晶結(jié)構(gòu)封裝的產(chǎn)品有什么特點。

　　△這三個特點相信很多人都知道，但我們需要清楚它是如何實現(xiàn)的。

　　首先我們來看高密度，要實現(xiàn)高密度光輸出，產(chǎn)品要滿足三個條件。這三個條件實際上是相互關(guān)聯(lián)的，因為大電流意味著高熱量。

　　為什么覆晶結(jié)構(gòu)封裝能承載大的電流呢?我們來對比分析下電路。

　　這里我解釋下正裝芯片金屬薄膜層，由于P型GaN傳導性能不是太好，為獲得良好的電流擴展，通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層金屬電極層，再將P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出，正是因為這種結(jié)構(gòu)，形成了正裝芯片在承載電流上的一個短板。

　　大家都知道，電阻與導體橫載面積成反比例關(guān)系，橫載面積越大電阻越低，還與導體長度成正比例關(guān)系，導線越長電阻越大。

　　從電路橫載面積上看，覆晶結(jié)構(gòu)電極尺寸遠遠超過金線橫載面積，一般情況下相差60倍。當然土豪可以換成很粗的金線。

　　從長度上看，由于金線鍵合工藝要求，金線必須是弧型，也無疑也增加了導線長度。晶片的結(jié)構(gòu)及線路的大小已經(jīng)初步確定了承載電流的大小。

　　光源產(chǎn)品電路具體的電阻值與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計相關(guān)，所以無法提供具體參數(shù)，可以確定的是，這種相差是按乘法計算的，電路越多差別越大。

　　大家也知道，電阻是要消耗功率的，消耗功率就會產(chǎn)生熱量，所以我們在設(shè)計線路時，盡可能降低其電阻，也不要有太多的尖角。

　　接著講導熱的問題，還是和上面的一樣，我們先來對比分析下熱傳導的途徑。