目前國(guó)際上GaN基LED產(chǎn)業(yè)主流的襯底是藍(lán)寶石，也有少量公司使用SiC襯底及Si襯底。Si襯底價(jià)格低廉，導(dǎo)電性能優(yōu)良，但是Si與GaN的失配很大，外延出的GaN位錯(cuò)密度較高，而且很容易發(fā)生龜裂，要獲得高質(zhì)量的GaN外延層非常困難。最近南昌大學(xué)在Si襯底上生長(zhǎng)GaN基藍(lán)光LED方面取得了較大進(jìn)展，光效達(dá)到了116.7流明，達(dá)到了同類產(chǎn)品的最高水平。

　　同時(shí)，其技術(shù)也得到了嚴(yán)密的專利保護(hù)，其大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)展，對(duì)于提高我國(guó)LED技術(shù)專利在國(guó)際上的地位具有很重要的意義。Si襯底GaNLED芯片的研制成功，改寫(xiě)了以藍(lán)寶石、SiC為襯底的GaNLED的歷史，為L(zhǎng)ED走向普通照明開(kāi)辟出一條新的技術(shù)路線。從此次會(huì)議的反應(yīng)看，硅襯底LED正在成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，硅襯底LED技術(shù)承載了業(yè)界太多的希望。

　　LED工藝技術(shù)進(jìn)步非?？?，在工藝技術(shù)快速進(jìn)步的同時(shí)，硬件設(shè)備并未獲得突破，特別是沒(méi)有成熟的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，大量核心的設(shè)備需要進(jìn)口，嚴(yán)重制約了LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　MOCVD設(shè)備進(jìn)口激增產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)險(xiǎn)凸顯

　　據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)大約30個(gè)單位已經(jīng)公示或正在籌建LED外延芯片項(xiàng)目。其投資購(gòu)買MOCVD設(shè)備的數(shù)量在1400臺(tái)～1600臺(tái)，而實(shí)際較可能的數(shù)量也有500臺(tái)～600臺(tái)。

　　為什么會(huì)有如此大的投入，山東浪潮華光光電子有限公司副總經(jīng)理任忠祥分析認(rèn)為，錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的引導(dǎo)，使政治家和企業(yè)家熱血沸騰。“LED外延片與芯片約占行業(yè)70%利潤(rùn)，LED封裝約占10%～20%，而LED應(yīng)用大概也占10%～20%”，站在我國(guó)的角度看這是個(gè)錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。據(jù)調(diào)查，封裝行業(yè)和應(yīng)用行業(yè)的利潤(rùn)在3%～10%之間，按照平均6%計(jì)算，2009年我國(guó)封裝和應(yīng)用的利潤(rùn)在48億元左右，而2009年我國(guó)外延和芯片的總產(chǎn)值才23億元，所以說(shuō)LED外延片與芯片約占行業(yè)70%利潤(rùn)的說(shuō)法是錯(cuò)誤的。這個(gè)錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)使人們的投資拼命投向外延片和芯片產(chǎn)業(yè)。