目前，由于GaN基LED的質量和價格的原因，還只能是在特種照明上起作用。努力提高質量和降低價格，使之盡快進入普通照明，是一個最重要的任務。

　　近年來LED光源效率提高很快，過去6、7年間提高了4～5倍，同時成本也在不斷下降，而且下降非?？?，企業(yè)為規(guī)避風險在新一輪投資和擴產中應充分考慮這一發(fā)展趨勢。

　　當前LED的主要技術問題是提高發(fā)光效率、降低光衰與降低成本。從前幾年完成的技術指標情況看，半導體照明技術的發(fā)展，比原計劃快得多。發(fā)光效率市場功率LED產品已達130lm/W。

　　當前采購成本高是綠色照明的主要障礙。對中國大陸LED產業(yè)發(fā)展，建議要讓突破性新技術萌芽、成長，新技術不僅是大幅降低成本的手段，而且是自主創(chuàng)新的核心。

　　發(fā)光二極管(LED)的發(fā)明者Holonyak2000年在美國物理學會會刊J.P.S上以“發(fā)光二極管是燈的最終形式嗎？”為題發(fā)表文章稱：“原則上發(fā)光二極管是燈的最終形式，實際上也是如此，它的發(fā)展能夠而且將繼續(xù)到所有功率和顏色都實現為止，了解這一點極為重要。”10年過去了，這一觀點正在得到印證。LED照明應用正在快速發(fā)展，技術也在不斷取得突破。在9月9日召開的“第十二屆全國LED產業(yè)研討與學術會議”上，我們看到，我國LED工藝技術取得了快速進步，但同時，硬件設備正在成為發(fā)展瓶頸，特別是MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)等核心設備正在制約產業(yè)的發(fā)展。

　　工藝技術進步快硬件設備待突破

　　“第十二屆全國LED產業(yè)研討與學術會議”近日在深圳召開，作為全國性重大學術會議，研討會全面展示了LED全產業(yè)鏈的最新研究成果。從學術會議的報告中，我們感到，我國LED工藝技術確實進步較快，特別是硅襯底LED的快速進步，引來業(yè)界眾多關注的目光。在LED工藝技術快速推進的同時，硬件設備卻未見突破，核心裝備特別是MOCVD設備正在成為產業(yè)發(fā)展瓶頸。由MOCVD設備引發(fā)的投資熱潮，正在成為業(yè)界普遍關心的焦點問題。

　　自2003年國家啟動半導體照明工程以來，我國半導體照明產業(yè)和技術取得顯著進步，初步形成了上中下游比較完整的研發(fā)和產業(yè)體系，進入快速發(fā)展階段。以企業(yè)為主體的LED制造技術進步較快，企業(yè)產業(yè)化線上完成的功率型芯片封裝后光效達到80lm/W～100lm/W。具有自主知識產權的功率型Si襯底LED芯片封裝后光效達到78lm/W，處于國際先進水平。