摘要：發(fā)光二極管(LED)低的外量子效率嚴重制約了LED 的發(fā)展，本文主要介紹了提高GaN 基LED 外量子效率途徑的最新進展，包括芯片非極性面/半極性面生長技術(shù)，分布布拉格反射層(DBR)結(jié)構(gòu)， 改變LED 基底幾何外形來改變光在LED 內(nèi)部反射的路徑和表面粗化處理以及新近的光子晶體技術(shù)和全息技術(shù)等。并對納米壓印與SU8 相結(jié)合技術(shù)在提高LED外量子光效益方面進行了初步探索。

　　20世紀90年代中期，日本日亞化學(xué)公司的Nakamura等人經(jīng)過不懈努力突破了制造藍光LED的關(guān)鍵技術(shù)。GaN基藍色LED的出現(xiàn)，大大擴展了LED的應(yīng)用領(lǐng)域，從此掀開了第三代半導(dǎo)體材料GaN基半導(dǎo)體照明的革命。這是繼GaAs,InP等第二代半導(dǎo)體材料后出現(xiàn)的第三代新型半導(dǎo)體材料。作為一種化合物半導(dǎo)體材料，GaN材料具有許多Si基半導(dǎo)體材料所不具備的優(yōu)異性能，具有禁帶寬度大、高電子漂移飽和速度、導(dǎo)熱性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高等優(yōu)點,比較適合用于雷達、導(dǎo)彈、通信、潛艇、航空航天及石油、化工、鉆探、核電站等領(lǐng)域的電子設(shè)備,對于抗輻射、耐高溫、高頻、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁帶寬度制作的藍色、綠色、紫外發(fā)光器件和光探測器件,具有極大地發(fā)展空間和廣闊的應(yīng)用市場GaN半導(dǎo)體材料。

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