采用量子點(diǎn)模型對(duì)藍(lán)色I(xiàn)nGaN/GaN 多量子阱發(fā)光二極管電致發(fā)光光譜進(jìn)行考察，并和實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比對(duì)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，利用量子點(diǎn)模型計(jì)算出的自發(fā)輻射發(fā)光峰位與實(shí)驗(yàn)得出的電致發(fā)光的峰位較好的符合，表明了在多量子阱發(fā)光二極管中由于InN 和GaN 相分離而形成的富In 類量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，主導(dǎo)著InGaN 基發(fā)光二極管發(fā)光波長(zhǎng)，體現(xiàn)了InGaN 基發(fā)光二極管量子點(diǎn)發(fā)光的本質(zhì)。同時(shí)，基于量子點(diǎn)模型的理論討論了以合適組分的四元AlInGaN 材料取代傳統(tǒng)的GaN 材料作為量子阱壘層對(duì)發(fā)光二極管發(fā)光特性的影響。