長期以來，當(dāng)半導(dǎo)體的材料越薄，對電子、光電元件的效能越有不良影響，不過，臺大跨國團(tuán)隊(duì)研發(fā)獨(dú)步全球的零缺陷半導(dǎo)體材料，透過“修復(fù)缺陷”的方法，將可提升LED發(fā)光效能100倍，已刊登在《Science》期刊。

　　這項(xiàng)研究是由加州大學(xué)柏克萊分校教授Ali Javey、阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)教授何志浩、前臺大校長李嗣涔、臺大博士連德軒等人合作，將二維材料浸于有機(jī)超強(qiáng)酸中，可讓單層薄膜達(dá)到“零缺陷”，大幅提高發(fā)光效率。

　　臺大研發(fā)團(tuán)隊(duì)說明，二維半導(dǎo)體材料具有特殊的電子傳導(dǎo)、光學(xué)、機(jī)械特性，可整合在現(xiàn)今半導(dǎo)體元件制程，被視為具有很大的潛力可以取代傳統(tǒng)矽材元件，其中二硫化鉬(MoS2) 是最熱門的半導(dǎo)體二維材料之一，不過，以目前的合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度仍然偏高。

　　跨國研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長期研究，發(fā)現(xiàn)將二硫化鉬(MoS2)材料浸潤在亞胺(bistriflimide)的有機(jī)超強(qiáng)酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，可以從不到1%增加到接近100%，為電晶體帶來革命性改變。

　　這項(xiàng)技術(shù)未來可望應(yīng)用于開發(fā)透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器，以及低功耗的奈米級電晶體。

　　本研究的共同第一作者連德軒，是臺灣本土培育有成的年輕博士，在今年首次拿到國際電子半導(dǎo)體學(xué)會IEEE頒發(fā)的獎學(xué)金，剛完成博士口試，本學(xué)期即將畢業(yè)，而且他撰寫的論文也是臺大第一篇被選進(jìn)VLSI technology會議發(fā)表的論文，被選為焦點(diǎn)文章，受到30個國際媒體報(bào)導(dǎo)。

　　目前連德軒已在加州柏克萊大學(xué)執(zhí)行科技部第2年的龍門計(jì)劃，畢業(yè)后將繼續(xù)在加州大學(xué)柏克萊分校繼續(xù)擔(dān)任博士后研究員。