2012年12月15日，東芝宣布其硅基白光LED開始量產(chǎn)；隨后，Cree在同月18日也發(fā)布消息稱，其基于SC³技術(shù)的LED芯片產(chǎn)品XLamp MK-R LED實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，光效為200lm/w，樹立業(yè)界全新里程碑；而一直居于LED襯底主流地位的藍(lán)寶石，價(jià)格早已降至10美元/片，并且已出現(xiàn)產(chǎn)能過剩隱憂。硅襯底取得突破性進(jìn)展，SiC襯底芯片光效快速提升，而藍(lán)寶石襯底因產(chǎn)能過剩價(jià)格下跌而備顯競爭力。2012，襯底也瘋狂。以下為新世紀(jì)LED網(wǎng)評測室對LED襯底2012年三雄逐鹿天下的歷程進(jìn)行的盤點(diǎn)，以供參考。

　　硅襯底

　　可使芯片的制造成本降低70%

　　硅晶圓基板芯片與傳統(tǒng)材料芯片相比具有明顯優(yōu)點(diǎn)。硅在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，可以滿足較大的晶圓直徑生產(chǎn)要求，同時(shí)硅材料具有更好的熱特性和較低廉的價(jià)格，因此硅晶圓基板芯片將成為未來LED照明市場更具吸引力和價(jià)格優(yōu)勢的選擇。

　　而早在2012年2月10日——英國普萊思半導(dǎo)體(Plessey)也透露準(zhǔn)備開始生產(chǎn)高亮度LED，制造中將采用劍橋大學(xué)所研究的一項(xiàng)備受關(guān)注的技術(shù)。Plessey計(jì)劃在今年底前生產(chǎn)出白光效率為150流明/瓦的硅基氮化鎵LED，其性能將可與傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底或碳化硅襯底LED相媲美。

　　Plessey指出，劍橋大學(xué)研究的這項(xiàng)硅基氮化鎵LED技術(shù)的主要優(yōu)勢在于采用了一種更薄的半導(dǎo)體層，可以解決芯片結(jié)構(gòu)中硅襯底與活性氮化鎵層之間的晶格不匹配問題。歐司朗和Azzurro通過使用相對較厚的緩沖材料，如多層氮化鋁，已經(jīng)解決了這個(gè)晶格不匹配問題，而劍橋研究團(tuán)隊(duì)能夠使用一種更薄的半導(dǎo)體層來制造出高品質(zhì)LED，這將降低總的生產(chǎn)成本。

　　2012年2月8日——德國歐司朗公司(OSRAM)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員制造出高性能藍(lán)白光LED 原型硅芯片，氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍(lán)寶石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。目前，該款LED芯片已經(jīng)進(jìn)入試點(diǎn)階段，在實(shí)際條件下接受測試。歐司朗公司表示首批硅晶圓LED芯片有望在兩年內(nèi)投放市場。該款新型高性能藍(lán)白光LED的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)也可與傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板相媲美，經(jīng)測試藍(lán)光UX:3芯片在3.15V電壓下，照明亮度可達(dá)634mW，相當(dāng)于58%的轉(zhuǎn)化效率，是1平方毫米芯片350毫安電流下LED照明獲得的較為出色的數(shù)值。

　　【導(dǎo)航】

　　第一頁：硅襯底——可使芯片的制造成本降低70%

　　第三頁：碳化硅襯底——將照明級LED帶入性價(jià)比的新紀(jì)元

　　第六頁：藍(lán)寶石——演繹了一出價(jià)格的“速度與激情”

　　第七頁：獨(dú)家觀點(diǎn)

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