3) 正向電壓降低70%以上，減少了損耗和部件個(gè)數(shù)

　　SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開(kāi)啟電壓較大，高達(dá)2.5V以上，常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi)，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個(gè)數(shù)。

　　4) 無(wú)尾電流，可進(jìn)行低損耗開(kāi)關(guān)

　　由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見(jiàn)的尾電流，因此關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗可減少90%，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無(wú)法達(dá)到的50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率，因此，可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。

　　【術(shù)語(yǔ)解說(shuō)】

　　體二極管(Body diode)

　　MOSFET的結(jié)構(gòu)中，寄生于內(nèi)部而形成的二極管。逆變器工作時(shí)，電流經(jīng)過(guò)此二極管，因此要求具備低VF值和高速恢復(fù)特性。

　　尾電流(Tail current)

　　IGBT中的關(guān)斷時(shí)流過(guò)的瞬態(tài)電流。因空穴注入的積累時(shí)間而產(chǎn)生。此期間內(nèi)需要較高的漏極電壓，因此產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗。

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)

　　不僅電子，不同的空穴，電流流經(jīng)而實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的功率晶體管。因空穴注入的積累時(shí)間無(wú)法高速動(dòng)作，具有開(kāi)關(guān)損耗較大的問(wèn)題。

　　正向電壓(VF?。篎orward Voltage)

　　正向電流流經(jīng)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小耗電量越小。

　　導(dǎo)通電阻

　　功率元件工作時(shí)的電阻值。這是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù)，數(shù)值越小性能越高。