產(chǎn)品名稱：1W 氮化鎵藍(lán)光LED倒裝芯片

產(chǎn)品型號(hào)： APT-B5501AB-V WWW LL

APT-B5501AB-V WWW LL芯片-外觀圖

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用領(lǐng)域：

產(chǎn)品特點(diǎn)	應(yīng)用領(lǐng)域
專利倒裝技術(shù)	普通照明領(lǐng)域
專利模組技術(shù)	道路照明領(lǐng)域
超高出光效率	車用照明領(lǐng)域
高效散熱設(shè)計(jì)	景觀照明領(lǐng)域
超高可靠性能	高級(jí)閃光燈領(lǐng)域
便于客戶封裝	特殊照明領(lǐng)域

芯片尺寸與材料：

外觀圖	材料說(shuō)明		尺寸說(shuō)明
	芯片襯底	藍(lán)寶石	芯片尺寸	1325μm ×1325μm
	外延材料	氮化鎵	基板尺寸	1995μm ×1775μm
	基體材料	硅	電極尺寸	99 μm ×304μm
	電極材料	金	芯片厚度	115±5μm
	凸點(diǎn)材料	金	基板厚度	250±5μm
			總厚度	390±10μm

產(chǎn)品光電參數(shù)說(shuō)明（測(cè)試溫度：25攝氏度）：

最大額定值（測(cè)試溫度25攝氏度）：

　　備注:

　　1. 以上數(shù)據(jù)為使用Power Dome支架、無(wú)灌膠條件下裸晶測(cè)試結(jié)果，不同封裝方式得到的測(cè)試結(jié)果可能不盡相同，僅供參考;LED最大結(jié)溫允許值也與封裝方式相關(guān);若封裝生產(chǎn)使用回流焊，必須保證不能在300 ℃以上溫度條件使用超過(guò)3秒;

　　2. 抗靜電釋放測(cè)試根據(jù)人體模型，使用RAET方式模擬靜電釋放，所有產(chǎn)品通過(guò)測(cè)試，符合JESD22-A114-B標(biāo)準(zhǔn)Class 3A等級(jí)。

　　3. 測(cè)試LED使用的反向電壓不能超過(guò)6V，否則有可能損壞產(chǎn)品，而且正常使用情況下，供電電源不能反接LED。

　　4. 由于硅基體易碎，因此強(qiáng)烈建議封裝打線時(shí)，盡量遠(yuǎn)離基體邊緣，以免損壞基體。

技術(shù)工藝介紹：Flip-chip LEDs倒裝芯片技術(shù);

　　倒裝芯片通常是功率芯片主要用來(lái)封裝大功率LED(>1W)，正裝芯片通常是用來(lái)進(jìn)行傳統(tǒng)的小功率φ3～φ10的封裝。因此，功率不同導(dǎo)致二者在封裝及應(yīng)用的方式均有較大的差別，晶科在開(kāi)發(fā)和制造超高亮度、超大功率氮化鎵發(fā)光二極管(LED)及其相關(guān)產(chǎn)品方面，擁有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，擁有領(lǐng)先的LED芯片倒裝核心技術(shù);

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外觀說(shuō)明：

　　APT產(chǎn)品的外觀形貌與各部分說(shuō)明如下圖：

　　為了方便外觀不良的影響，對(duì)這款芯片的結(jié)構(gòu)說(shuō)明做了如下的解釋：

　　APT公司Flip-chip LEDs采用專利倒裝技術(shù)，結(jié)合圖形化藍(lán)寶石襯底、高反射金屬等技術(shù)，使光輸出最大化。同時(shí)基板采用奇納二極管保護(hù)，產(chǎn)品全部通過(guò)了ESD(HBM模式)>4000V測(cè)試。

外觀形貌：

　　LEDs外觀形貌的缺陷，有可能引起產(chǎn)品使用過(guò)程中參數(shù)的偏差，關(guān)鍵參數(shù)偏差超出不可接受的限度，會(huì)引起產(chǎn)品的失效。APT實(shí)行嚴(yán)格的質(zhì)量監(jiān)督管理策略，對(duì)產(chǎn)品外觀有嚴(yán)格的監(jiān)控標(biāo)準(zhǔn)，所有的產(chǎn)品均需要通過(guò)外觀的檢驗(yàn)。為了方便使用者更好的了解并使用APT的產(chǎn)品，一下對(duì)LEDs的常見(jiàn)的外觀的形貌問(wèn)題做出了詳細(xì)的解釋。

　　Ⅰ. 發(fā)光區(qū)顏色的不一致

　　APT外觀標(biāo)準(zhǔn)：合格

　　產(chǎn)生原因：

　　外延沉底工藝少有差異，樣品對(duì)反射光波長(zhǎng)選擇性有所不同，從而外光上顏色不一。

　　影響：

　　不影響光電性能，APT對(duì)外延工藝有嚴(yán)格的認(rèn)證體系，確保產(chǎn)品性能一致;

　?、? 硅基板劃傷或者污染

　　APT外觀標(biāo)準(zhǔn)：

　　硅基板劃傷或者污染面積不到連接電路金屬層范圍的八分之一，合格。

　　產(chǎn)生的原因：

　　封裝作業(yè)中硬物劃傷，或者外來(lái)污染物粘到了LEDs表面。

　　影響：

　　符合外觀標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品光電性能不受影響，由于鏈接電路金屬層面積達(dá)，而且表面有鈍化層保護(hù)，輕度劃傷或者污染可以接受。

　　Ⅲ. 硅基板破損(正面)

　　APT外觀標(biāo)準(zhǔn)：

　　硅基板破損沒(méi)有達(dá)到連接電路金屬層，合格。

　　產(chǎn)生原因：

　　封裝作業(yè)中硬物夾傷或者碰撞，最常見(jiàn)為手工作業(yè)夾起產(chǎn)品時(shí)造成。

　　影響：

　　符合外觀標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品光電性能不受影響，若傷金屬層，存在引起漏電的可能性。

　?、? 硅基板破損(背面)

　　APT公司外觀標(biāo)準(zhǔn)：

　　硅基板背面破損，舉例不超過(guò)邊長(zhǎng)五分之一，合格。

　　產(chǎn)生原因：

　　運(yùn)輸或者封裝作業(yè)過(guò)程中，碰撞，擠壓造成。

　　影響：

　　符合外觀標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品光電性能不受影響，對(duì)封裝固晶也沒(méi)有影響。

特性測(cè)試：

　　備注：

　　1. 測(cè)試結(jié)果為典型值。

可靠性測(cè)試：

　　備注: 1. 對(duì)于測(cè)試樣品，經(jīng)過(guò)1000小時(shí)測(cè)試周期，亮度衰減最大不超過(guò)10%，正向電壓改變最大不超過(guò)200mV。

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