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Veeco迎雙喜:獲針對(duì)SGL初步禁令,與ALLOS達(dá)成合作

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2017-11-03 作者: 來源:LEDinside編譯 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0
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摘要: 昨(2)日,有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設(shè)備大廠美國(guó)維易科(Veeco)宣布,美國(guó)紐約東區(qū)地方法院同意了Veeco公司針對(duì)SGL Carbon,LLC(SGL)的一項(xiàng)初步禁令請(qǐng)求,該公司是中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(AMEC)的晶圓承載器供應(yīng)商。

  昨(2)日,有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設(shè)備大廠美國(guó)維易科(Veeco)宣布,美國(guó)紐約東區(qū)地方法院同意了Veeco公司針對(duì)SGL Carbon,LLC(SGL)的一項(xiàng)初步禁令請(qǐng)求,該公司是中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(AMEC)的晶圓承載器供應(yīng)商。該禁令禁止SGL出售用于采用了Veeco專利技術(shù)的無基座金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(MOCVD)的晶圓承載器,包括專為AMEC MOCVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)的晶圓承載器。

  Veeco公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官John R. Peeler說:“這項(xiàng)裁決肯定了Veeco知識(shí)產(chǎn)權(quán)及其全球?qū)@M合的實(shí)力。Veeco狠抓知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作,并堅(jiān)決維護(hù)其在研發(fā)方面的重大投資,包括其在美國(guó),歐洲和亞洲的專利,特別是在中國(guó)。”

  上述裁決立即生效,禁止SGL在未得到Veeco明確授權(quán)的情況下出貨采用了Veeco專利技術(shù)的晶圓承載器。這也意味著禁止SGL提供用于所有AMEC MOCVD系統(tǒng)的晶圓承載器。法院還裁定,盡管SGL有相反的論點(diǎn),Veeco公司有關(guān)“無基座MOCVD反應(yīng)堆使用的Veeco晶圓載體專利受到SGL的侵犯且該專利有效”的聲稱得到認(rèn)同的可能性很大。SGL曾經(jīng)辯稱,其晶圓承載器是基于AMEC的規(guī)格。這項(xiàng)裁決顯示,AMEC不尊重Veeco的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。在專利案件中,初步禁令是很罕見的,因?yàn)樵谂銓張F(tuán)對(duì)專利侵權(quán)作出判決之前頒布禁售令有非常嚴(yán)格的法律要求。因此,這一裁決顯示了SGL和AMEC侵犯Veeco知識(shí)產(chǎn)權(quán)的明確性質(zhì)。

  Veeco于2017年4月12日在紐約東區(qū)的聯(lián)邦法院對(duì)SGL Carbon,LLC和SGL Carbon SE展開了專利侵權(quán)訴訟。SGL生產(chǎn)用于無基座MOCVD系統(tǒng)的晶圓承載器。除了臨時(shí)禁令之外,Veeco正在尋求永久性禁令以及經(jīng)濟(jì)賠償?shù)取?/p>

  此外, Veeco公司11月1日宣布和ALLOS Semiconductors(ALLOS)達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光micro-LED 的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其專有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到 Propel單晶圓MOCVD系統(tǒng),從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。

  “使用Propel反應(yīng)腔,我們就擁有了一項(xiàng)MOCVD技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高產(chǎn)量的GaN外延,滿足在200毫米硅生產(chǎn)線上生產(chǎn)micro-LED器件的所有要求,” ALLOS Semiconductor的首席執(zhí)行官Burkhard Slischka 這樣說。

  “不到一個(gè)月時(shí)間我們就已經(jīng)在Propel上對(duì)我們的技術(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證,并且獲得了無裂紋、無回熔的晶圓,翹曲度低于30微米,晶體質(zhì)量高,厚度均勻性優(yōu)異,波長(zhǎng)均勻性小于1納米。同Veeco攜手,ALLOS期待著將該技術(shù)在micro-LED產(chǎn)業(yè)中更為推廣?!?/p>

  Micro-LED顯示技術(shù)由<30x30平方微米的紅、綠和藍(lán)(RGB)無機(jī)LED組成,這些LED被轉(zhuǎn)化為顯示屏背板,以形成亞像素。與有機(jī)LED(OLED)和液晶顯示(LCD)相比,這些高效的LED直接發(fā)射功耗更低,卻可以為移動(dòng)顯示器、電視和可穿戴式計(jì)算機(jī)提供優(yōu)異的亮度和對(duì)比度。Micro-LED 的制造要求優(yōu)質(zhì)、均勻的外延晶圓,以滿足顯示屏的產(chǎn)量和成本控制的要求。

  “和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的MOCVD平臺(tái)相比, Veeco的TurboDisc技術(shù)提供的制程窗口更大,因此Propel能提一流的均勻性同時(shí)還能獲得優(yōu)良的膜品質(zhì),”維易科高級(jí)副總裁兼MOCVD運(yùn)營(yíng)總經(jīng)理Peo Hansson博士這樣說?!皩eeco領(lǐng)先的MOCVD專業(yè)技術(shù)和 ALLOS的硅基氮化鎵外延晶片技術(shù)相結(jié)合,使我們客戶能夠開發(fā)出低成本的micro-LED,以便于在新的市場(chǎng)中開拓新的應(yīng)用。”


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