昨(19)日，普萊思半導(dǎo)體(Plessey)發(fā)布新聞稿宣布，公司已購(gòu)買愛思強(qiáng)(AIXTRON )的AIX G5+ C有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)器。此前，公司已向愛思強(qiáng)訂購(gòu)了一個(gè)反應(yīng)器。

　　普萊思致力于采用硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)下一代Micro LED應(yīng)用，而愛思強(qiáng)的MOCVD反應(yīng)器將增強(qiáng)其硅基氮化鎵外延片的制造能力。公司擬在2019年第一季度期間將此反應(yīng)器安裝在其位于英國(guó)普利茅斯(Plymouth)的制造工廠(27萬平方公尺)并投入使用。

　　新的愛思強(qiáng)反應(yīng)器提供自動(dòng)卡匣式(C2C)晶圓傳輸模塊晶片傳送模塊，具備兩個(gè)獨(dú)立的腔體配置選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)8x6英寸或5x8英寸硅基氮化鎵外延片在封閉的卡匣環(huán)境中的自動(dòng)加載與移除。而普萊思現(xiàn)有的愛思強(qiáng)MOCVD反應(yīng)器則可人工加載7x6英寸或3x8英寸外延片。

　　新反應(yīng)器的自動(dòng)化清潔技術(shù)能夠確保設(shè)備在每次運(yùn)行時(shí)都處于清潔狀態(tài)，有助于降低晶圓缺陷率并大幅減少維修停工時(shí)間。此外，新設(shè)備還具有更快的傾斜升溫與冷卻以及高的基座卸載溫度，從而縮短配方時(shí)間。

　　普萊思表示，AIX G5+ C反應(yīng)器能夠增強(qiáng)基于公司專有硅基氮化鎵技術(shù)的單片Micro LED的研發(fā)能力。公司的Micro LED具備極低功耗、高亮度與超高像素密度等特點(diǎn)，將對(duì)使用LCD和OLED等傳統(tǒng)技術(shù)的現(xiàn)有應(yīng)用領(lǐng)域帶來潛在的沖擊。

　　普萊思旨在成為開發(fā)創(chuàng)新顯示引擎和全磁場(chǎng)自發(fā)光Micro LED顯示器的全球領(lǐng)導(dǎo)照明商。該設(shè)備結(jié)合了超高密度RGB像素陣列與高性能互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)背板，具有高亮度、低功耗及高幀頻圖像源等特點(diǎn)，可用于AR/VR系統(tǒng)的頭戴式顯示器和穿戴式電子設(shè)備。