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國際第三代半導(dǎo)體論壇征文通知   

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2017-05-24 作者: 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 2017國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會,是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦,得到科技部,發(fā)改委,工信部,北京政府等相關(guān)部門大力支持。

  國際第三代半導(dǎo)體論壇

  International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)

  2017年11月1-3日

  中國·北京·首都機(jī)場希爾頓酒店

  2017國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會,是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦,得到科技部,發(fā)改委,工信部,北京政府等相關(guān)部門大力支持。

  會議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒幼谥迹娓采w行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

  大會主席

  Umesh K. MISHRA——美國國家工程院院士、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人

  美國加州大學(xué)圣巴巴拉分校杰出教授

  曹健林--中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部原副部長

  技術(shù)程序委員會

  主任

  鄭有炓--南京大學(xué)教授、中科院院士

  副主任

  劉 明--中科院微電子所教授、中國科學(xué)院院士

  張 榮--山東大學(xué)校長、南京大學(xué)教授

  陳 敬--香港科技大學(xué)教授

  邱宇峰--國家電網(wǎng)智能研究院副院長

  張國義--北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任

  沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

  主辦單位

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

  中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會

  支持單位

  國家科學(xué)技術(shù)部

  國家發(fā)展與改革委員會

  國家工業(yè)與信息產(chǎn)業(yè)部

  北京市人民政府

  協(xié)辦單位

  首都創(chuàng)新大聯(lián)盟

  國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

  國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)

  中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會

  中國電子學(xué)會電子材料分會

  中國電力電子行業(yè)協(xié)會

  中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

  SEMI

  中國照明學(xué)會

  中國智能家居產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

  中國可再生能源學(xué)會

  能源互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟

  TD產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

  中國智慧城市產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

  論壇長期與IEEE合作。投稿給SSLCHINA的優(yōu)質(zhì)論文,會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表征文重點(diǎn)內(nèi)容

  S1: 碳化硅材料與器件

  碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度,在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領(lǐng)域展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進(jìn)步將對電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果,將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議,充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進(jìn)展。

  征文方向:

  SiC晶體生長和加工

  SiC同質(zhì)外延

  SiC材料缺陷控制與表征方法

  SiC電力電子芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真

  SiC電力電子芯片工藝

  SiC電力電子芯片可靠性

  SiC電力電子芯片測試和表征

  SiC電力電子芯片的其他新技術(shù)

  分會主席:

  盛 況--浙江大學(xué)教授

  分會委員:

  徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)教授

  陳小龍--中科院物理所教授

  張玉明--西安電子科技大學(xué)教授

  張安平--西安交通大學(xué)教授

  柏 松--中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

  王德君--大連理工大學(xué)教授

  S2: 氮化鎵功率電子器件

  氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造,氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議,呈現(xiàn)氮化鎵電力電子器件研究與應(yīng)用的最新進(jìn)展。

  征文方向:

  大尺寸襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長和缺陷、應(yīng)力控制

  GaN基電力電子器件技術(shù)

  GaN襯底材料和厚膜同質(zhì)外延

  GaN器件封裝技術(shù)

  GaN電力電子應(yīng)用

  GaN電力電子技術(shù)的市場研究

  分會主席:

  陳 敬--香港科技大學(xué)教授

  徐 科--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測試中心主任、蘇州納維科技有限公司董事長

  分會委員:

  李順峰--北京大學(xué)東莞光電研究院副院長

  陳 鵬--南京大學(xué)教授

  張國旗--代爾夫特理工大學(xué)教授

  晏文德--中興通訊股份有限公司副總裁、中興通訊能源研究院院長

  S3: SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性

  寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件近年來不斷獲得技術(shù)的突破,具備廣泛的市場應(yīng)用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)勢,在新能源發(fā)電、電動汽車、充電樁、電力轉(zhuǎn)換及管理系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域等已展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。因此,針對寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝及可靠性技術(shù)是推動其快速市場化并廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵。本分會的主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評價(jià)等方面。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果,將邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議,充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評價(jià)的最新進(jìn)展。

  征文方向:

  SiC/GaN電力電子器件封裝設(shè)計(jì)和仿真

  SiC/GaN電力電子器件封裝集成

  SiC/GaN電力電子器件封裝熱散熱

  SiC/GaN電力電子器件封裝材料和工藝

  SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性

  SiC/GaN電力電子器件驅(qū)動保護(hù)

  SiC/GaN電力電子器件測試和監(jiān)測

  SiC/GaN電力電子器件應(yīng)用

  SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術(shù)

  分會主席:

  陸國權(quán)--天津大學(xué)教授

  張國旗--代爾夫特理工大學(xué)教授

  分會委員:

  于坤山--北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總裁

  趙爭鳴--清華大學(xué)教授

  楊 霏--國家電網(wǎng)智能研究院高級工程師

  張安平--西安交通大學(xué)教授

  柏 松--中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

  陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師

  王德君--大連理工大學(xué)教授

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