整個社會越來越像科幻片，教育、高清視頻、家庭智能系統(tǒng)等等都可以通過各種移動終端實現(xiàn)，各種消費品都開始聯(lián)網(wǎng)，人類社會萬物互聯(lián)，逐步實現(xiàn)數(shù)字化生存。高速的移動通信網(wǎng)絡(luò)既是擴大消費，促進經(jīng)濟發(fā)展的硬件條件，也是重要推手。移動通信技術(shù)的提升將刺激互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，也將極大帶動經(jīng)濟發(fā)展。萬物互聯(lián)的背景下，加上高速率的保證，移動信息消費潛力巨大。世界各國相關(guān)研究機構(gòu)、設(shè)備商和運營商就將目光投向了移動通信技術(shù)，比如5G ，爭先恐后地開展戰(zhàn)略布局和科技研發(fā)以占得先機。
其中，在新一代移動通信技術(shù)的發(fā)展，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料不可忽視。第三代半導(dǎo)體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、消費類電子、5G移動通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。預(yù)計到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國防三大領(lǐng)域催生上萬億元的潛在市場。
那么新一代通信技術(shù)發(fā)展的背景下，第三代半導(dǎo)體會有怎樣的作為呢?
2016年11月15日至17日， 2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際論壇(以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”)將在北京國際會議中心召開。此次跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點領(lǐng)域。同期還將舉辦第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2016)。
今年跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會專門設(shè)置了“第三代半導(dǎo)體與新一代移動通信技術(shù)”分會，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千與中國電子科技集團公司第十三研究所副所長蔡樹軍將擔(dān)任此次分會召集人，匯集來自全球相關(guān)領(lǐng)域的科研院所、高校、大型代表企業(yè)的重量級精英，共同探討行業(yè)發(fā)展。
其中，加州大學(xué)洛杉磯分校教授王康隆將擔(dān)任分會外方主席，同時，分會成員星光熠熠，共同為分會提供最堅實的支撐。
分會成員劉新宇，中科院微電子研究所副所長，他還擔(dān)任中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室副主任，電子學(xué)會青年工作委員會委員，是國家"核高基"重大專項"十二五"編寫組專家。主要研究領(lǐng)域為:III-V族化合物(GaAs、InP、GaN)半導(dǎo)體器件和電路工藝，微波MMIC設(shè)計和研制，以及微波功率模塊研究。
分會成員陳堂勝，中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學(xué)家，長期從事GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體微波功率器件和單片電路的研制，現(xiàn)為中國電子科技集團公司制造工藝領(lǐng)域首席科學(xué)家，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
分會成員張進成，西安電子科技大學(xué)教授 ，主要研究方向為寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。先后承擔(dān)和作為主要負責(zé)人參加了省部級以上科研項目20余項。其中，作為負責(zé)人主持國家級項目2項、省部級項目4項。作為主要負責(zé)人之一，成功研制出我國具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長的表面反應(yīng)增強MOCVD和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料，性能指標達到了國際先進水平。
分會成員晏文德，中興通訊股份有限公司副總裁中興電源研究院院長，帶領(lǐng)研發(fā)團隊負責(zé)中興通訊無線、有線、云計算等產(chǎn)品的電源方案設(shè)計，以及模塊電源、定制電源、通信電源和新能源系統(tǒng)的研發(fā)。參與3項通信電源行業(yè)標準制定，持有5項專利。
強大的陣容團外，精彩報告亦是不容錯過，非常值得期待。本次分會邀請設(shè)置了眾多精彩報告，其中，分會外方主席、加州大學(xué)洛杉磯分校教授王康隆將做特邀報告。
臺灣長庚大學(xué)教授邱顯欽將帶來關(guān)于高性能GaN開關(guān)電源和RF射頻電源的研究分享，邱顯欽十幾年來專注第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，在微波砷化鎵高速器件，氮化鎵高壓器件與微波毫米波電路方面迄今發(fā)表了超過150篇國際論文，150國際會議論文，十個技術(shù)專利，他同時也是IEEE資深會員。
國立中央大學(xué)電子工程系講座教授，臺灣聯(lián)合大學(xué)系統(tǒng)的系統(tǒng)副校長綦振瀛也將分享其最新研究成果。綦振瀛主要研究領(lǐng)域為光電半導(dǎo)體磊晶技術(shù)，光電元件和高速電子元件，出版及參與出版過共340多篇期刊論文，并擁有超過60個專利。他也是斐陶斐榮譽學(xué)會會員，IEEE會士及國際光學(xué)工程學(xué)會(SPIE)會士。
日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)教授、國家千人計劃專家敖金平也將做特邀報告。敖金平主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作，曾在國際學(xué)術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表論文180余篇，擁有多項發(fā)明專利。他也是國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員，美國電氣化學(xué)協(xié)會(ESC)會員，日本應(yīng)用物理學(xué)會會員以及日本電子情報通信學(xué)會會員。
專用集成電路國家級重點實驗室外延部部長房玉龍也將分享其研究成果。他長期從事寬禁帶半導(dǎo)體GaN、SiC的材料外延及電子器件研究工作，對寬禁帶材料與器件關(guān)系有深入的認識。研制出世界最高遷移率的新型無應(yīng)變InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)材料，研制出國內(nèi)第一支N極性面GaN基場效應(yīng)晶體管。近年來，一直從事新型緩變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料和器件的研究，國際上首次報道了緩變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件的高線性特性。主持或參與“973”、“863”和自然基金項目多項，發(fā)表寬禁帶領(lǐng)域?qū)W術(shù)文章50余篇。
論壇君想說，如今各種風(fēng)云際會，讓人應(yīng)接不暇，這是一個群雄爭霸愈發(fā)激烈的年代，身處其中，誰也逃不開躲不掉。都說排兵布陣有全局觀，才能運籌帷幄，那么如今風(fēng)向局勢如何?誰將領(lǐng)跑?何去何從?做到心中有數(shù)都是非常重要的，期待這場盛會與你的相遇!
參會報名、參會聯(lián)系人
張女士
T：8610-82387380
M：13681329411
E：zhangww@china-led.net
賈先生
T：8610-82387430
M：18310277858
E：jiaxl@china-led.net
第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2016)活動官網(wǎng)：http://www.sslchina.org
2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際會議(IFWS)活動官網(wǎng)：http://www.ifws.org.cn
