乾照光電7日晚間公告，公司擬出資15.97億元，建設(shè)VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項目。

　　根據(jù)公告，該項目總投資約15.97億元，其中銀行貸款8.51億元，其余資金由公司自籌出資。該項目預(yù)計2018年啟動，2021年建成投產(chǎn)，2022年實現(xiàn)滿產(chǎn)運行，項目建設(shè)內(nèi)容主要為主生產(chǎn)廠房、污水處理站、氫氣站、氮氣站、化學(xué)品 庫、宿舍、其他倉庫等。項目資金運用上，建設(shè)投資11.96億元，建設(shè)期利息3024.99萬元，流動資金3.70億元。

　　項目投產(chǎn)后，預(yù)測達(dá)產(chǎn)后年銷售收入9.66億元，達(dá)產(chǎn)年利潤總額2.37億元，達(dá)產(chǎn)年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅后財務(wù)內(nèi)部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。

　　資料顯示，VCSEL是以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，是一種半導(dǎo)體激光器。2017年VCSEL全球市場規(guī)模大概在1.5億美元左右。2019年，應(yīng)用于智能手機的VCSEL芯片出貨量預(yù)計將增長至2.4億顆，全球VCSEL市場的復(fù)合年增長率(CAGR)可達(dá)17.3%，市場規(guī)模到2022年或?qū)⒃鲩L至200億人民幣。目前安卓手機陣營中沒有應(yīng)用國產(chǎn)化的VCSEL芯片。VCSEL外延片芯片的關(guān)鍵技術(shù)主要為國際少數(shù)幾家大公司所壟斷，也是國內(nèi)激光芯片產(chǎn)業(yè)中較為薄弱的環(huán)節(jié)。

　　公司方面表示，砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體器件主要依附于MOCVD進(jìn)行外延生產(chǎn)，技術(shù)含量高;在軍用和民用無線通訊等領(lǐng)域需求旺盛，而相關(guān)國內(nèi)廠商稀缺，國家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。公司憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領(lǐng)域多年研發(fā)和生產(chǎn)的積累，通過本項目的建設(shè)，將有助于公司在其他市場領(lǐng)域的突破，對公司的戰(zhàn)略發(fā)展具有重要意義。

　　另外，項目建成達(dá)產(chǎn)后，有利于推動高端可見光半導(dǎo)體LED芯片的國產(chǎn)化進(jìn)程，降低終端應(yīng)用產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，完善我國自主的LED產(chǎn)業(yè)鏈，提升我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。