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LED上游產(chǎn)業(yè)概況簡(jiǎn)析:三大發(fā)光新材料將進(jìn)入LED照明競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域

2015-12-02 作者:彭萬(wàn)華 來(lái)源:廣東LED 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已初具規(guī)模,從LED主要技術(shù)指標(biāo)光效來(lái)看,還有很大的推進(jìn)空間,要加大對(duì)LED的研發(fā)力度,掌握LED核心技術(shù),突破國(guó)外專(zhuān)利制約,進(jìn)一步拓展國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體照明市場(chǎng),擴(kuò)大我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模,為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。

  1)有機(jī)發(fā)光二極管

  目前OLED有效的光效一般在30~60 lm/w,將在特種照明領(lǐng)域獲得應(yīng)用。據(jù)國(guó)外相關(guān)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè):OLED照明市場(chǎng)于2021年將達(dá)400多億美元,另一機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)于2018年達(dá)400億美元?,F(xiàn)階段主要問(wèn)題除某些技術(shù)外,價(jià)格偏高,但前景是樂(lè)觀的。

  (2)量子點(diǎn)發(fā)光技術(shù)

  量子點(diǎn)(Quantun Dot簡(jiǎn)寫(xiě)QD)是用納米技術(shù)制作的,QD顆粒一般在2~12nm之間,量子點(diǎn)發(fā)光體由發(fā)光核、半導(dǎo)體殼、有機(jī)配位體組成,在電或短波光的激發(fā)下會(huì)發(fā)射不同波長(zhǎng)的光,接近連續(xù)可見(jiàn)光光譜,例如CdSe(硒化鎘)當(dāng)顆粒2.1nm時(shí)發(fā)藍(lán)光,當(dāng)5nm時(shí)發(fā)射綠光,接近10nm時(shí)發(fā)射接近紅光,其優(yōu)點(diǎn):發(fā)光穩(wěn)定、內(nèi)量子效率高。

  目前量子點(diǎn)發(fā)光效率接近OLED水平,QD發(fā)光具有廣泛應(yīng)用,除了在顯示及照明領(lǐng)域外,還可應(yīng)用于藍(lán)光激光、光感測(cè)元件、單電子晶體管、記憶儲(chǔ)存……,現(xiàn)階段QD主要在顯示應(yīng)用上取得顯著效果,將最有希望替代OLED。在照明方面與LED結(jié)合產(chǎn)生色彩豐富,十分明亮的暖白光。

  (3)超薄非結(jié)晶電介層發(fā)光芯片

  由美國(guó)德洲農(nóng)機(jī)大學(xué)化學(xué)工程系開(kāi)發(fā)的一種發(fā)光芯片、采用在硅晶園上進(jìn)行室溫濺射沉積方法,制成電介質(zhì)膜,其中有納米晶層,可提升發(fā)光密度,在工藝中可與硅IC兼容,工藝簡(jiǎn)單,是個(gè)新的納米發(fā)光材料技術(shù)。雖然目前發(fā)光壽命較短,但將來(lái)會(huì)更長(zhǎng)。

  小結(jié):上述幾種發(fā)光新材料,OLED在照明領(lǐng)域的份額遲早提升,而且會(huì)在特殊照明領(lǐng)域中占有一定比例。至于量子點(diǎn)及超薄介質(zhì)中的發(fā)光層均為納米級(jí)量子層,是納米發(fā)光新材料。應(yīng)要高度重視納米發(fā)光技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā),將來(lái)有可能進(jìn)入照明領(lǐng)域,并替代LED照明產(chǎn)品。


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