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LED上游產(chǎn)業(yè)概況簡(jiǎn)析:三大發(fā)光新材料將進(jìn)入LED照明競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域

2015-12-02 作者:彭萬(wàn)華 來(lái)源:廣東LED 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已初具規(guī)模,從LED主要技術(shù)指標(biāo)光效來(lái)看,還有很大的推進(jìn)空間,要加大對(duì)LED的研發(fā)力度,掌握LED核心技術(shù),突破國(guó)外專利制約,進(jìn)一步拓展國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體照明市場(chǎng),擴(kuò)大我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模,為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。

  我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已初具規(guī)模,從LED主要技術(shù)指標(biāo)光效來(lái)看,還有很大的推進(jìn)空間,要加大對(duì)LED的研發(fā)力度,掌握LED核心技術(shù),突破國(guó)外專利制約,進(jìn)一步拓展國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體照明市場(chǎng),擴(kuò)大我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模,為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。關(guān)于芯片領(lǐng)域的概況如下(未統(tǒng)計(jì)2015年),僅供參考。

  LED襯底簡(jiǎn)況

  目前用于LED產(chǎn)業(yè)化的襯底主要有藍(lán)寶石(Al2O3)、SiC、Si和GaN。

  Cree用SiC襯底,全球很多企業(yè)正在開發(fā)Si襯底,東芝曾經(jīng)宣布投產(chǎn)8″Si襯底。其余的企業(yè)以藍(lán)寶石為主,全球生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底有130多家,其中80多家是近兩年加入的。目前以2″和4″襯底片為主,幾年后將以6″為主,會(huì)達(dá)到50%以上。有人預(yù)測(cè)2016年藍(lán)寶石、Si和GaN這三類襯底將各占三分之一。近幾年全球正在研究開發(fā)很多LED新襯底,并取得突破性進(jìn)展。

  中國(guó)開發(fā)、生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底的企業(yè)50多家,其中已投產(chǎn)20多家,我國(guó)生產(chǎn)能力已超過(guò)1億片/年(以2″計(jì)算),超過(guò)全球的需求量,而且藍(lán)寶石企業(yè)直接生產(chǎn)PSS襯底的不多,目前藍(lán)寶石國(guó)產(chǎn)化約50%,企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力較差,走向轉(zhuǎn)型、整合、兼并是必然的。另外,南昌晶能采用Si襯底量產(chǎn)LED,國(guó)內(nèi)還有很多研究所、企業(yè)正在開發(fā)同質(zhì)襯底、復(fù)合襯底和SiC襯底,并取得很大成果。

  LED外延及芯片產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)況

  全球從事LED外延及芯片研發(fā)生產(chǎn)單位約169家(另有報(bào)導(dǎo)為142家),共有MOCVD設(shè)備約3000臺(tái)(另有報(bào)導(dǎo)為2800臺(tái)),其生產(chǎn)能力以4″計(jì)算為200萬(wàn)片/月,其中比例大約為:中國(guó)25.8%、臺(tái)灣21.8%、日本19.2%、韓國(guó)17.3%、美國(guó)11%、歐洲2.8%。

  中國(guó)LED外延及芯片企業(yè)50多家,其中投產(chǎn)的30多家,開工率為50~60%,產(chǎn)量超過(guò)1000億只(含小芯片和四元系芯片),產(chǎn)值約84億元(另有報(bào)導(dǎo)為105億元)。由于國(guó)內(nèi)上游企業(yè)過(guò)多,大部分企業(yè)規(guī)模偏小,走向整合、兼并是必然的。另外國(guó)內(nèi)有十幾二十家企業(yè)正在研發(fā)制造MOCVD設(shè)備,有的已在上游企業(yè)試用或正式投產(chǎn)。還有外延用的MO源:三甲基(鎵、銦、鋁、銻)、三乙基(鎵、銻)、二甲基鋅、二乙基(鋅、碲)等國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)60%。

  LED主要技術(shù)指標(biāo)

  日亞、飛利浦、歐司郎等幾個(gè)大企業(yè)實(shí)驗(yàn)室水平,光效均超過(guò)200lm/w,Cree公司實(shí)驗(yàn)室光效已超過(guò)276 lm/w。首爾半導(dǎo)體“npolo”LED,聲稱在1mm2芯片上要實(shí)現(xiàn)1000光通量,三菱化學(xué)同樣提出達(dá)1000lm光通量,稱為L(zhǎng)ED光源的終極目標(biāo)。日本田村制作提出在2mm見方芯片要實(shí)現(xiàn)2000~3000 lm光通量。美國(guó)加洲大學(xué)圣巴巴拉分校提出光效要達(dá)到300 lm/w。美國(guó)Soraa公司采用GaN-on-GaN技術(shù)制作LED替代燈,使每盞燈用一只LED器件,譜寫了LED技術(shù)新篇章,即LED2.0版。美國(guó)SSL計(jì)劃修定中提出LED光效產(chǎn)業(yè)化水平達(dá)266 lm/w為終極目標(biāo)。目前全球LED產(chǎn)業(yè)化光效水平為120~150 lm/w。

  發(fā)光新材料

  發(fā)光新材料將來(lái)有可能進(jìn)入照明領(lǐng)域,與LED照明競(jìng)爭(zhēng)。

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