9月25日，由工業(yè)和信息化部指導(dǎo)，中國(guó)電子報(bào)、中國(guó)半導(dǎo)體照/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟、中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電器件分會(huì)、中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)LED顯示應(yīng)用分會(huì)共同舉辦的“中國(guó)LED行業(yè)(2014-2015)年度評(píng)選” 頒獎(jiǎng)典禮在北京萬(wàn)壽賓館A座多功能廳隆重舉行，晶科電子(廣州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晶科電子”)推出的“ 倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級(jí)模組技術(shù)”榮獲“2014-2015中國(guó)LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”。

　　隨著LED市場(chǎng)應(yīng)用逐漸成熟，對(duì)LED的電壓、光效、可靠性等性能提出了更高的要求?！? 倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級(jí)模組技術(shù)”主要研究基于硅集成的照明用倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級(jí)模組的核心技術(shù)攻關(guān)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，晶科電子通過(guò)自主創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1W藍(lán)光LED芯片，尺寸為1.1mm×1.1mm，在350mA電流驅(qū)動(dòng)下，實(shí)現(xiàn)正向電壓Vf在2.8~3.2V，封裝后白光效率達(dá)到138lm/W;1W倒裝HV-LED芯片尺寸為1.1mm×1.1mm，在20mA電流驅(qū)動(dòng)下，正向電壓48~52V，白光效率達(dá)到110lm/W;完成了倒裝大功率5W、10W模組芯片，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部無(wú)金線互聯(lián)，更高功率數(shù)可按照需要進(jìn)行定制。

　　該技術(shù)完成后，晶科電子已經(jīng)形成了1W倒裝大功率LED芯片、倒裝高壓LED芯片、大功率芯片級(jí)模組三大系列共9款產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。其中，1W倒裝大功率LED芯片包括40mil、45mil和55mil這3個(gè)規(guī)格，倒裝高壓LED芯片包括45mil這1個(gè)規(guī)格，大功率芯片級(jí)模組包括5W、10W、15W、25W和40W這5個(gè)規(guī)格。除了開(kāi)發(fā)形成以上系列LED芯片產(chǎn)品外，還取得了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利13項(xiàng)，其中包括美國(guó)發(fā)明專利1項(xiàng)、中國(guó)發(fā)明專利5項(xiàng)、中國(guó)實(shí)用新型專利7項(xiàng)。制定了企業(yè)內(nèi)部技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)(倒裝LED芯片綁定標(biāo)準(zhǔn)，高壓LED芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，5W芯片模組成品和10W 芯片模組成品分類標(biāo)準(zhǔn))。

　　作為本土化且擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的LED領(lǐng)域中上游企業(yè)，晶科電子始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，并致力于解決技術(shù)轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)化中出現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。晶科倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級(jí)模組技術(shù)此次得以榮獲“2014-2015中國(guó)LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”，是各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)和廣大客戶對(duì)晶科電子自主研發(fā)實(shí)力和產(chǎn)品的再次肯定，這不僅對(duì)晶科進(jìn)一步加強(qiáng)創(chuàng)新能力建設(shè)，以全球視野力爭(zhēng)在LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，搶占LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)具有重要的推動(dòng)作用，更為晶科持續(xù)自主研發(fā)創(chuàng)造了有利條件。