芯片材料

　　目前國內(nèi)企業(yè)及科研機構(gòu)已經(jīng)實現(xiàn)在不同襯底(Al2O3、Si、SiC、AlN)上外延生長GaN材料，并已開發(fā)出圖形化襯底外延、非極性或半極性外延、襯底轉(zhuǎn)移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等產(chǎn)品和技術(shù)。

　　在提高內(nèi)量子效率和外量子效率方面，我國也取得較大進展。目前已研發(fā)出AlGaN深紫外(260nm-400nm)發(fā)光二極管，以及1W的LED藍光芯片，白光LED的發(fā)光效率超過80lm/W，并研制出四元系A(chǔ)lGaInP紅光功率LED器件，發(fā)光效率約40lm/W。

　　然而，我國超高亮度芯片以及高亮度藍綠芯片產(chǎn)品技術(shù)仍有待進一步提高，國內(nèi)該類芯片仍主要依靠進口。

　　由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密，行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事外延片生產(chǎn)的同時也進行芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。截止到2013年年底，我國(不包括臺灣地區(qū))涉及LED外延/芯片的企業(yè)有近百家。

　　在外延/芯片環(huán)節(jié)，由于近兩年新建項目的陸續(xù)投產(chǎn)，區(qū)域分布呈現(xiàn)多地開花、分散發(fā)展的趨勢。其中，長三角地區(qū)企業(yè)數(shù)量超過30家，超過總數(shù)的1/3。

　　制備材料

　　LED制備材料主要指LED生產(chǎn)中需要用到的光刻膠、高純化學(xué)試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料。

　　我國LED領(lǐng)域光刻膠還處于產(chǎn)業(yè)化階段初期，國內(nèi)能夠大批量生產(chǎn)的光刻膠包括紫外負性光刻膠、紫外正性光刻膠(G、I線膠)和TN-STN光刻膠等。然而，高端生產(chǎn)用光刻膠還需要依賴進口。

　　在高純化學(xué)試劑領(lǐng)域，國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平基本能夠滿足LED生產(chǎn)要求。

　　在高純電子氣體領(lǐng)域，國產(chǎn)的6N高純氨已大量用于LED行業(yè)，取得了一定進展，但特種電子氣體方面整體技術(shù)水平與要求還有較大差距，高端核心技術(shù)和產(chǎn)品市場仍被國外把控。

　　在靶材領(lǐng)域，中國產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量發(fā)展較快，基本實現(xiàn)了進口替代，存在突出問題是靶材主要原材料仍然依賴進口。在拋光材料領(lǐng)域，中國基本能夠生產(chǎn)LED領(lǐng)域藍寶石用拋光液和硅、化合物半導(dǎo)體襯底材料用拋光液及水溶膠納米磨料等，但在CMP工藝用其他拋光液、拋光液用核心基礎(chǔ)原材料等還依賴進口。

　　據(jù)不完全統(tǒng)計，目前中國從事光刻膠、高純化學(xué)試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料的企業(yè)有31家，主要以合資和民營企業(yè)為主，企業(yè)主要分布在長江三角洲和京津環(huán)渤海地區(qū)。國有及國有控股企業(yè)雖然數(shù)量上不及合資和民營企業(yè)，但產(chǎn)品銷售收入和從業(yè)人員處于絕對優(yōu)勢。

　　深陷產(chǎn)業(yè)鏈低端

　　從2010年到2012年這短短3年間，LED芯片產(chǎn)能擴張超過10倍，導(dǎo)致了LED材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能嚴(yán)重過剩。2014年，受下游應(yīng)用市場帶動，大部分LED材料企業(yè)整體向好，MOCVD產(chǎn)能利用率上升至52%，開機率上升到70%左右，平均產(chǎn)能利用率較前兩年大幅度提高。

　　隨著市場的向好，以三安光電、華燦光電等為首的國內(nèi)LED領(lǐng)軍企業(yè)紛紛開啟了新一輪的擴產(chǎn)，而且新增產(chǎn)能一舉超過了其本身的原有機臺數(shù)，未來LED材料產(chǎn)能過剩問題依然不容樂觀。LED材料產(chǎn)能過剩，加劇了企業(yè)之間的無序競爭，雖然行業(yè)市場繼續(xù)增長，整體盈利卻在下滑，價格戰(zhàn)愈演愈烈。LED芯片價格大幅度降低，有的降幅甚至達到了50%，LED材料小企業(yè)紛紛尋求并購和合作，更有甚者已經(jīng)停產(chǎn)，準(zhǔn)備退出這一領(lǐng)域。