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2015年我國LED照明產業(yè)發(fā)展藍皮書

2015-08-19 作者: 來源:工信部賽迪智庫 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 近兩年LED產業(yè)爆發(fā)式增長,成為各路資金追捧的對象。然而不容回避的是,我國LED產業(yè)的瘋狂擴張主要聚集于襯底和芯片、封裝等產業(yè)鏈的低端,而高技術、高附加值的高端LED材料以及外延領域,國內企業(yè)則鮮有涉足。能否順利進入產業(yè)鏈高端成為決定國內LED產業(yè)未來發(fā)展前景的關鍵性因素。

  近兩年LED產業(yè)爆發(fā)式增長,成為各路資金追捧的對象。然而不容回避的是,我國LED產業(yè)的瘋狂擴張主要聚集于襯底和芯片、封裝等產業(yè)鏈的低端,而高技術、高附加值的高端LED材料以及外延領域,國內企業(yè)則鮮有涉足。能否順利進入產業(yè)鏈高端成為決定國內LED產業(yè)未來發(fā)展前景的關鍵性因素。

  令LED人士倍受鼓舞的是,今年初的時候,國家就給LED行業(yè)打了一劑強心針——藍寶石LED材料外延及芯片技術榮獲國家科學技術進步獎。技術創(chuàng)新才是未來LED企業(yè)競爭力的關鍵,也是LED突破產業(yè)瓶頸,進行產業(yè)升級的關鍵。

  我國LED產業(yè)現(xiàn)狀

  典型LED器件如下圖所示,通常采用外延方法在襯底材料上生長出晶體缺陷密度低的LED器件層,通過光刻、刻蝕、濺射等半導體生產工藝得到一定的器件形狀和構造,并形成良好的電接觸膜,這就是 LED芯片。對LED芯片進行封裝,可以避免LED芯片受到外界損傷,并很好地導入電和導出發(fā)光,從而形成一個完整的LED產品。

  LED結構主要為一個PN結,需要由穩(wěn)定的P型與N型材料制成,如硅(Si)、鍺(Ge)等通過摻雜磷(P)、砷(As)、銻(Sb),GaN,GaP,GaAs通過摻雜銦(In)等形成N型半導體;Si摻雜硼(B),GaN、GaP、 GaAs等摻雜鋁(Al)等形成P型半導體。另外,在PN結兩邊還需要電極材料,如采用 ITO 等。

  LED產業(yè)鏈主要包括襯底、外延、芯片、封裝、應用等環(huán)節(jié)。具體剖析開來,LED產品的關鍵材料集中于襯底、外延芯片以及封裝環(huán)節(jié)。

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