2014年隨著三星電子的西安工廠竣工，SK海力士遭受火災的無錫工廠恢復生產(chǎn)，韓國半導體制造企業(yè)在中國的生產(chǎn)比重呈現(xiàn)出持續(xù)增加的趨勢。例如，三星電子在西安在西安(NAND Flash生產(chǎn))、蘇州(半導體后道工序)擁有生產(chǎn)設備;SK海力士繼無錫(生產(chǎn)D燈)工廠以后，最近在重慶(半導體后道工序)通過應用內(nèi)存最高端技術的生產(chǎn)設備批量生產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品;同時，韓國中小SOC企業(yè)為促進在中國市場的銷售活動的進展及兩國之間的合作，通過在深圳成立“中韓系統(tǒng)IC合作研究院”，為在中國的網(wǎng)絡相對薄弱的中小企業(yè)，構建了與中國需求企業(yè)共同研究等符合當?shù)氐钠脚_。

　　在韓國，半導體不僅是IT高端產(chǎn)品的核心部件，更是通過結合汽車、機械等韓國國內(nèi)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，正在不斷拉動著韓國經(jīng)濟全球化發(fā)展的引擎。

　　升級改進

　　半導體材料屬于“多面生花”，應用領域廣泛，主要集中在集成電路、太陽能電池、高端功率器件、儲存器、微處理器、芯片、模擬電路、分立器件，電子電力器件、探測器、LED、LD光電領域、電子電力器件、半導體照明、太陽能電池等領域。如今，半導體技術已經(jīng)從微米進步到納米尺度，微電子已經(jīng)被納米電子所取代，即半導體行業(yè)未來的趨勢是，組件會變得更小，IC的整合度變得更大，功能變得更強，價格也變得更便宜。

　　目前，韓國共有400多家半導體及相關產(chǎn)品制造企業(yè)，主要分為元件、設計、設備、材料企業(yè)四類。大部分中小企業(yè)群由設備及材料企業(yè)組成，他們主要負責與制造半導體的元件企業(yè)合作開發(fā)產(chǎn)品，再將生產(chǎn)設備或材料銷售給元件企業(yè)。除上述半導體專用設備、材料生產(chǎn)企業(yè)以外，還約有300多家部件制造企業(yè)生產(chǎn)相關產(chǎn)品。其中，三星電子的半導體生產(chǎn)額位居世界第二位(美國位居世界第一位)，內(nèi)存生產(chǎn)額位居世界第一位，是領導全球的綜合半導體企業(yè)。在內(nèi)存, 系統(tǒng)半導體領域，三星擁有世界最頂級的生產(chǎn)設備，并在設計、制造、Foundry等各種半導體生產(chǎn)價值鏈拓展事業(yè)。SK海力士是半導體生產(chǎn)額位居世界第五位，內(nèi)存生產(chǎn)額位居世界第三位的半導體制造企業(yè)。

　　韓國半導體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)額從2003年的139億美元(世界市場占有率為7.4%，位居世界第四位)增至2013年的515億美元，增加到了原來的兩倍以上，世界市場占有率以16.2%首次超過日本，躍居成為世界第二位。尤其是內(nèi)存半導體產(chǎn)業(yè)自從2002年高居世界首位(占有率達到32.9%)以來，通過獨特的市場及技術優(yōu)勢，正在持續(xù)擴大其影響力范圍。2013年世界市場占有率達到了52.4%，以壓倒性優(yōu)勢的競爭力，正在引領全球的內(nèi)存市場。

　　事實上，隨著內(nèi)存制造技術接近加工微細化達到極限，韓國半導體的特點技術和競爭優(yōu)勢正在從不斷優(yōu)化變革中汲取營養(yǎng)。韓國通過產(chǎn)學研合作，提出了企業(yè)對新一代原創(chuàng)技術的需求，正在推進大學研究的“未來半導體元件開發(fā)項目”。另外，為了確保系統(tǒng)半導體研發(fā)成本及提供SW-SoC綜合解決方案，確保CPU核心技術至關重要。韓國在促進開發(fā)作為CPU核心要素技術之一的低功耗流程設計技術，今后計劃通過結合半導體及SW領域的CPU核心國產(chǎn)化發(fā)展路線，持續(xù)推進后續(xù)技術開發(fā)及商用化。而在加工技術方面，隨著半導體產(chǎn)業(yè)的全球競爭日益加劇，半導體元件企業(yè)需要通過加工微細化及晶圓的大口徑化、新物質(zhì)、新結構材料開發(fā)等加強競爭力，以便于降低生產(chǎn)成本。

　　突破創(chuàng)新

　　前不久，谷歌推出的“谷歌眼鏡”半導體技術實現(xiàn)了新突破，而這些突發(fā)奇想，就是由新材料的不斷突破造就的。

　　可穿戴設備產(chǎn)業(yè)鏈，即是“柔性電路板—傳感器技術—穿戴式電子產(chǎn)品”的發(fā)展鏈條。當前，國內(nèi)最大的柔性電路板(FPC)生產(chǎn)商之一是丹邦科技，根據(jù)該公司2012年公布的年報，該公司專注于微電子柔性互連與封裝業(yè)務，形成了從FCCL→FPC、FCCL→COF柔性封裝基板→COF產(chǎn)品的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

　　韓國半導體產(chǎn)業(yè)就是通過加強自主創(chuàng)新實現(xiàn)由技術追趕到跨越的典型例子。半導體產(chǎn)業(yè)從代工(1965年)起步，以引進和購買相關技術為主實現(xiàn)技術積累后，在80年代中期和90年代初期轉(zhuǎn)向自主開發(fā)，以國家電子所為中心，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導體研發(fā)組織，終于在1992年末與美日同期開發(fā)64M D-RAM。在從1M到64M的D-RAM核心基礎技術開發(fā)過程中韓國政府承擔了大部分研發(fā)投資，1M到16M的D-RAM開發(fā)共投資879億韓元，政府投入500億韓元;16M和64M D-RAM研發(fā)投資900億韓元，政府投入750億韓元。當1994年自主開發(fā)出256M存儲器后韓國半導體進入以自主技術創(chuàng)新為主的技術跨越，成為世界半導體存儲技術的領先者。為持續(xù)保持并強化競爭優(yōu)勢，韓國政府通過了《新一代半導體基礎技術開發(fā)項目》，并于1996年成功開發(fā)1G D-RAM，2001年4月又最早開發(fā)出4G D-RAM，成為在內(nèi)存方面世界上技術最強的國家。正是這種自主創(chuàng)新的不懈努力，韓國才實現(xiàn)了技術追趕到跨越。

　　現(xiàn)在的內(nèi)存半導體則逐漸擺脫了依靠大型投資及通過領先微細加工技術促進生產(chǎn)和發(fā)展的模式，正在轉(zhuǎn)向以體現(xiàn)結合手機、云技術及汽車等各種需求的SOLUTION內(nèi)存半導體模式變化，以未來元件及產(chǎn)品設計為中心的增長模式。而就系統(tǒng)半導體而言，需要投資大量資金與人力的產(chǎn)品、需要卓越知識的產(chǎn)品、核心IP產(chǎn)品等相關企業(yè)相比競爭，更注重通過分工與合作，構建相輔相成的合作體系。尤其是，逐漸擺脫模仿階段，正在努力思考獨特產(chǎn)品及技術，以挖掘新的技術及產(chǎn)品。

　　企業(yè)是技術引進和自主創(chuàng)新的主體，引進技術和創(chuàng)新活動主要由企業(yè)來決定，并承擔其經(jīng)濟風險。但政府通過法規(guī)、信貸、稅收等經(jīng)濟和法律手段進行嚴格的規(guī)劃指導、監(jiān)督和控制。這種機制既保證了技術發(fā)展的計劃性，也保證了企業(yè)技術創(chuàng)新活動的主動性和高效性。這是韓國科技發(fā)展中最成功的一點，也是半導體企業(yè)在持續(xù)的技術引進過程中培育企業(yè)自主創(chuàng)新能力的有力保證。