2012年8月30日——愛思強(qiáng)股份有限公司今天宣布，昭和電工(日本，秩父)在其現(xiàn)有愛思強(qiáng)設(shè)備基礎(chǔ)上，增購一套熱壁碳化硅化學(xué)氣相沉積行星式反應(yīng)器。該化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)可同時處理10片100mm晶圓或6片150mm晶圓，將被應(yīng)用于針對一系列電力電子應(yīng)用及元件類型(例如太陽能發(fā)電模塊、交直流轉(zhuǎn)換及工業(yè)電機(jī)控制的逆變器系統(tǒng))在碳化硅(SiC)基底上生長同質(zhì)外延材料。

　　通過新系統(tǒng)的應(yīng)用，昭和電工將可提高現(xiàn)有直徑為100mm晶圓的產(chǎn)量，并可拓展至更大直徑的150mm碳化硅晶圓的生產(chǎn)，該種晶圓目前已可從半導(dǎo)體材料供應(yīng)商處購得。實現(xiàn)對更大晶圓的生產(chǎn)將可在降低成本的同時提高市場接受度。

　　愛思強(qiáng)股份有限公司副總裁兼電力電子項目經(jīng)理Frank Wischmeyer博士評價道：“愛思強(qiáng)系統(tǒng)的設(shè)計是為了通過減少襯底邊緣排除區(qū)(wafer edge exclusion zone)，提高更大直徑基底的單片晶圓使用率，從而進(jìn)一步推動規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。碳化硅在這類應(yīng)用的魅力源于其獨特的材質(zhì)，例如高臨界電場強(qiáng)度，允許高擊穿電壓以及低導(dǎo)通電阻。碳化硅在電力應(yīng)用方面的更大優(yōu)勢在于其導(dǎo)熱性高和耐熱強(qiáng)度大。”

　　愛思強(qiáng)為這套最先進(jìn)的生產(chǎn)系統(tǒng)平臺開發(fā)出一個特別反應(yīng)室，可承受碳化硅晶圓外延過程最高所需達(dá)到的1650°C高溫。在外延過程中，愛思強(qiáng)系統(tǒng)每批所處理的6片150 mm晶圓會各自進(jìn)行“行星式”自轉(zhuǎn)，展現(xiàn)技術(shù)最先進(jìn)的均勻性和可重復(fù)性。

　　昭和電工之所以選擇愛思強(qiáng)熱壁碳化硅化學(xué)氣相沉積行星式系統(tǒng)，是為了借助愛思強(qiáng)在此方面的豐富經(jīng)驗與專業(yè)技術(shù)，同時通過具成本效益的150mm碳化硅晶圓拓展其業(yè)務(wù)范圍。該公司看到碳化硅相關(guān)產(chǎn)品在消費電子市場迅速產(chǎn)生的機(jī)遇，以及其未來在鐵路動力處理與自動化市場中的廣闊前景。2008年底，昭和電工向Esicat – Japan LLP(日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)、日本電力中央研究所(CRIEPI)以及昭和電工的一家合資公司)收購碳化硅外延晶片業(yè)務(wù)。

　　文章來源：SEMI