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探索中國LED產(chǎn)業(yè)被動專利形勢成因

2011-08-03 作者: 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 造成當(dāng)前中國LED產(chǎn)業(yè)專利戰(zhàn)略被動局面的原因是復(fù)雜多樣的。與發(fā)達(dá)國家相比,我國的半導(dǎo)體照明在研發(fā)投入上存在較大差距。

  事件一:2011年6月7日,有消息稱歐司朗在德國和美國控告韓國兩大公司LG和三星,稱這兩家公司侵犯其LED技術(shù)專利權(quán)。要求法院頒令,禁止進口和銷售被指侵權(quán)的LED產(chǎn)品,并要求兩家公司賠償其損失。6月10日三星LED向韓國首爾中央地區(qū)法院反訴歐司朗侵犯其LED專利技術(shù)。業(yè)內(nèi)認(rèn)為,三星此舉是為了回應(yīng)歐司朗公司對三星侵犯其LED技術(shù)專利的訴訟。

  事件二:2011年4月5日,Cree與歐司朗宣布,兩家已簽署全面性的全球?qū)@徊嬖S可協(xié)議。此項協(xié)議涵蓋雙方在藍(lán)光LED芯片的技術(shù)、白光LED、熒光粉、封裝、LED燈泡燈具以及LED照明控制系統(tǒng)等領(lǐng)域的專利。不久前Cree還與飛利浦、日亞化(Nichia)、豐田合成(Toyoda Gosei) 達(dá)成LED技術(shù)專利協(xié)議。有分析稱,目前全球五大LED巨頭已基本形成新的新專利交叉網(wǎng)。

  事件三:2011年3月31日、4月8日國內(nèi)著名照明企業(yè)惠州雷士與上海亞明先后與美國LED外延芯片大廠Cree簽署戰(zhàn)略協(xié)議。對此行動業(yè)界普遍的解讀是兩廠為化解海外產(chǎn)品銷售中的專利風(fēng)險。

  事件四:2011年3月,國內(nèi)主要照明企業(yè)浙江陽光照明(600261)在發(fā)布其2010年度財報的同時,還發(fā)布了一條消息,稱將以每股5萬日元的價格溢價收購一家日本LED公司LIREN的股權(quán),總投資額為1600 萬日元(約合人民幣123.76 萬元),投資完成后陽光持有該公司30.188%股權(quán),陽光收購這家企業(yè)看中的就是其研發(fā)能力及所持有的知識產(chǎn)權(quán)。由于此事的披露恰逢陽光照明高調(diào)宣布投入10億元進軍LED照明事業(yè)之際,突顯了LED光源制造專利技術(shù)的重要性。

  從以上一系列事件中可以看出,雖然自“337”調(diào)查以來,中國LED領(lǐng)域的專利糾紛并不多,但中國企業(yè)面臨的專利風(fēng)險,并非減少,而是處于醞釀之中。部分企業(yè)對于此種形勢已開始警覺,并采取行動加以解決。如何制訂適當(dāng)?shù)膶@麘?zhàn)略將事關(guān)中國LED產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

  處于劣勢的專利之爭

  美國學(xué)者理納德·??司S茲認(rèn)為:“專利戰(zhàn)略是一個保證你可以持續(xù)獲得競爭優(yōu)勢的工具。”此言不虛,在LED產(chǎn)業(yè)中,專利權(quán)正是國際企業(yè)巨頭從事市場競爭的主要工具之一,并發(fā)揮著越來越重要的作用。由于中國企業(yè)在LED專利布局上起步較晚,專利的申請時間、專利類型、授權(quán)比例等方面與國外企業(yè)均存在較大差距,特別是在高端芯片及部分應(yīng)用領(lǐng)域上表現(xiàn)得尤為明顯。近年來,我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)盡管取得了高速發(fā)展,但面臨的專利糾紛也日益增多,國內(nèi)半導(dǎo)體照明企業(yè)在這些糾紛中經(jīng)常處于被動局面。

  根據(jù)清華大學(xué)教授、863“半導(dǎo)照明工程”重大項目總體組專家羅毅介紹,從目前世界范圍內(nèi)GaN基LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來看,日本、美國和歐洲的企業(yè)技術(shù)水平,尤其是高端產(chǎn)品的研發(fā)水平處于領(lǐng)先地位。其中比較著名的公司包括日本的Nichia、Toyoda Gosei,美國的Cree、Lumileds,德國的Osram等。這些公司擁有80%~90%的原創(chuàng)性發(fā)明專利,集中于材料生長、器件制作等方面,引領(lǐng)著LED技術(shù)發(fā)展的潮流,并占有多數(shù)市場份額。Nichia和Cree等國際巨頭即使在中國大陸材料外延和芯片制作領(lǐng)域的專利申請上,依然擁有較多數(shù)量和優(yōu)勢。

  至于國內(nèi)LED專利申請狀況,中科院蘇州納米所研究員、蘇州納晶光電董事長梁秉文指出,雖然國內(nèi)LED企業(yè)近幾年申請了很多LED專利,甚至是LED發(fā)明專利,但絕大部分不是原創(chuàng),大部分是在國際LED巨頭原創(chuàng)專利的基礎(chǔ)上,做一些修補,其專利含金量也大打折扣。根據(jù)國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的統(tǒng)計,近年來我國申請的LED專利數(shù)量雖然快速增長,但在專利類型、申請時間、授權(quán)比例等方面與先進國家和地區(qū)相比仍存在較大差距,在高端芯片領(lǐng)域尤為明顯。截止2010年,全球共申請LED專利234874件,我國申請的LED專利數(shù)為21548件,約占十分之一。但我國在行業(yè)上游的外延和芯片領(lǐng)域?qū)@麛?shù)量少,在一些技術(shù)含量較高的下游應(yīng)用領(lǐng)域,如背光照明、汽車照明等方面發(fā)明申請量也偏低。大陸企業(yè)申請的國際專利數(shù)量更少。從申請時間上看,上游產(chǎn)業(yè)普遍比國外晚10年左右,傳統(tǒng)技術(shù)手段如芯片電極、劃片、封裝材料、外延緩沖層、碳化硅襯底的時間差距最大,一般在15到20年。主流技術(shù)如外延接觸層、外延覆蓋層、外延量子阱技術(shù)、超晶格技術(shù)、氮化鎵襯底技術(shù)、芯片微結(jié)構(gòu)技術(shù)、鈍化技術(shù)等相差10年左右。在下游產(chǎn)業(yè)中,雖然近兩年的快速發(fā)展縮短了很大差距,但與國外發(fā)展情況相比,我國的原創(chuàng)型發(fā)明專利依然缺少,大多屬于模仿型專利。

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