李晉閩：未來5-10年 深紫外LED將成為主流技術
摘要： 2011年4月8日，在2011'中國(廈門)LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展論壇上，中國半導體研究所所長李晉閩圍繞半導體照明重大項目進展情況、半導體照明技術趨勢以及存在的問題進行了精彩演講。
2011年4月8日，在2011'中國(廈門)LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展論壇上，中國科學院半導體研究所所長李晉閩圍繞半導體照明重大項目進展情況、半導體照明技術趨勢以及存在的問題進行了精彩演講。
中科院半導體所所長李晉閩
在本次產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展論壇上，李晉閩所長重點介紹了“LED前瞻技術--深紫外LED開發(fā)”，他表示這項技術未來重點的研究內(nèi)容在于以下六點：
1） 基于藍寶石襯底的高Al組分AlGaN材料的外延生長和摻雜技術;
2） AlGaInN四元合金材料的外延和摻雜技術;
3） 紫外LED結構材料外延技術;
4） 紫外LED用材料的分析表征技術;
5） 紫外LED器件研制技術;
6） AlN單晶材料制備技術
據(jù)Reportlinker的報告指出，深紫外LED的潛在市場達數(shù)十億美元。這項技術與紫外汞燈相比，具有生態(tài)友好的顯著優(yōu)勢，無毒、節(jié)能、環(huán)保。使用紫外LED激發(fā)熒光粉獲得白光LED，符合國家節(jié)能減排的能源戰(zhàn)略目標;對推動建設環(huán)境友好型、能源節(jié)約型社會具有重大而又深遠的意義。
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