在硅襯底上做氮化鎵LED，按照目前效率和成本預(yù)測，將分為三個階段：到2010年將達到90~100lm/W,平均1W的芯片成本約1元；到2015年將達到120~140lm/W， 平均1W的芯片成本將降到2010年的1/2；到2020年將達到160~200lm/W， 平均1W的芯片成本將降到2010年的1/3。到那時，如果用LED替代60W的白熾燈，芯片的價格約1.5元。當然這有個前提，即發(fā)展出減緩DROOP效應(yīng)的發(fā)光結(jié)構(gòu)，這是目前任何一種襯底外延氮化鎵LED要解決的共性問題。

　　目前硅襯底的功率型LED做成白光的效率普遍是70~80lm/W， 量產(chǎn)的芯片以0.2毫米x0.2毫米的藍綠光芯片為主，還沒有發(fā)現(xiàn)發(fā)展高效率硅襯底LED存在物理上的瓶頸。從微觀上來分析，最近國際上一流水平的外延材料位錯密度TDD約6×108cm -2 ，我們的硅襯底LED也在這個范圍；從宏觀方面看，硅襯底LED在高電流密度下性能穩(wěn)定。

　　從現(xiàn)有水平看，硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)路線需要攻克幾大關(guān)鍵技術(shù)，包括6英寸MOCVD設(shè)備制造技術(shù)、6英寸外延材料生長技術(shù)(減緩DROOP效應(yīng)的發(fā)光結(jié)構(gòu))以及6英寸芯片制造技術(shù)。 （《半導(dǎo)體照明》雜志 編輯：masyoong）