日前，比利時研究中心(IMEC)推出一項聯(lián)合開發(fā)計劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開發(fā)高效率、大功率白光LED，致力于推動氮化鎵技術(shù)的發(fā)展，包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。

　　IMEC GaN項目總監(jiān)Marianne Germain表示，采用大直徑的硅芯片(尺寸從100mm到150mm，再增至200mm)與CMOS兼容程序相結(jié)合，可創(chuàng)造經(jīng)濟上可行的解決方案。就固態(tài)照明而言，IIAP計劃的一部分是，將運用硅基氮化鎵技術(shù)來開發(fā)高效率、大功率白光LED。該計劃的目標(biāo)包括改善內(nèi)部與外部量子效率，并實現(xiàn)高電流作業(yè)。

　　IMEC表示，III族氮化物具備卓越的發(fā)光特性，并具有廣泛的可見光與紫外光譜。然而，如果采用新型批量制造技術(shù)，開發(fā)出光效可達150lm/W的LED，那么，使用這些設(shè)備開發(fā)出的LED才能被廣泛接受。

　　IMEC還將邀請集成設(shè)備制造商與化合物半導(dǎo)體行業(yè)共同加入該計劃。