1.MB芯片定義與特點(diǎn)

　　定義：

　　MB 芯片：Metal Bonding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品

　　特點(diǎn)：

　　1、采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底，散熱容易。

　　Thermal Conductivity

　　GaAs: 46 W/m-K

　　GaP: 77 W/m-K

　　Si: 125 ～ 150 W/m-K

　　Cupper:300~400 W/m-k

　　SiC: 490 W/m-K

　　2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收.

　　3、導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。

　　4、底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。

　　5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于High power 領(lǐng)域﹐eg : 42mil MB

　　2.GB芯片定義和特點(diǎn)

　　定義：

　　GB 芯片：Glue Bonding (粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品

　　特點(diǎn)：

　　1：透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

　　2：芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖。

　　3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。

　　4：雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。

　　3.TS芯片定義和特點(diǎn)

　　定義：

　　TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。

　　特點(diǎn)：

　　1.芯片工藝制作復(fù)雜，遠(yuǎn)高于AS LED。

　　2.信賴性卓越。

　　3.透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

　　4.應(yīng)用廣泛。

　　4.AS芯片定義與特點(diǎn)

　　定義：

　　AS 芯片：Absorbable structure (吸收襯底)芯片，經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力，臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。

　　特點(diǎn)：

　　1. 四元芯片，采用 MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。

　　2. 信賴性優(yōu)良。

　　3. 應(yīng)用廣泛。

　　發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類

　　1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

　　2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

　　3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

　　4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs

　　5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs

　　6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs