1、氮化鎵LED目前廣泛應用于各種手持式設備、背光組件、相機閃光燈與全彩戶外大型顯示器，但是傳統(tǒng)以藍寶石基板為主流之氮化鎵LED結構，其亮度輸出不足，使其在固態(tài)照明市場的應用上有所局限。這主要是因為LED的散熱管理不佳與高功率芯片操作時無法負荷大電流的輸入。一般說來，LED磊晶層乃生長于不同之基板例如藍寶石基板或碳化硅基板。然而，由于藍寶石基板不導電與導熱效率差，碳化硅基板成本相對較高，因此將氮化鎵LED制作在導電與導熱的金屬基層上后，這些問題是可以克服的。這項技術為旭明光電領先開發(fā)，旭明所開發(fā)的垂直型金屬基層MvpLED(metalverticalphotonLEDs，)，是經由低成本量產程序，使用創(chuàng)新垂直型設計與先進的金屬合金層。這種LED發(fā)光體與傳統(tǒng)藍寶石基板型式LED或覆晶封裝型LED，相對具有眾多優(yōu)點且在驅動電流350mA時具有最佳發(fā)光效率的LED。

　　2、各種LED晶粒型式的比較：

　　傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED，覆晶型式氮化鎵LED與垂直型金屬基層MvpLED為常見的LED類型。對于傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED來說，由于藍寶石基板不導電，所以必須將p型與n型電極制作于同一面，n型電極之制作為藉由蝕刻方式，將p型氮化鎵與量子井發(fā)光結構區(qū)蝕刻，因此，在可作用發(fā)光的區(qū)塊，就因此少了將近20-30%。另外，傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED之電流傳輸，從正極到負極為水平流向，此時，電流容易在n型電極下方產生電流擁擠現(xiàn)象，造成操作電壓上升并增加動態(tài)電阻而增加組件的溫度。還有一個眾所皆知的特性是，由于p型氮化鎵材料的基本特性，電流無法在上面散布開，因此傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED的p型氮化鎵上必需增加制作透明電極層幫助電流分布但是，透明電極層的制作又會吸光，降低發(fā)光亮度。再者，藍寶石基板之傳導率較低(35W/mK)，所以其傳熱效率較差，僅適合小電流操作。對于覆晶型式氮化鎵LED來說，一樣需將p型與n型電極制作于同一面，發(fā)光區(qū)域一樣會減少，電流傳輸方向也是水平流向，依然有電流擁擠造成動態(tài)電阻增加的現(xiàn)象。而且，由于覆晶的方法多以焊接方式制作，導熱效果與直接接金屬基板的垂直型金屬基層MvpLED比起來較小。