長(zhǎng)期潛心研究硅襯底LED的江西晶能光電日前演示了基于硅襯底的高功率InGaN LED，據(jù)說(shuō)性能接近于采用傳統(tǒng)襯底生長(zhǎng)的LED。

　　據(jù)了解，晶能光電長(zhǎng)期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)，該公司總部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA電流下光輸出超過(guò)100流明，采用1x1mm芯片。

　　目前絕大多數(shù)LED的生產(chǎn)是在一個(gè)藍(lán)寶石或碳化硅襯底上沉淀多層GaN薄膜，而晶能認(rèn)為，基于硅襯底生長(zhǎng)的LED在成本節(jié)約和控制上將發(fā)揮更大潛力，并且性能絲毫不亞于傳統(tǒng)工藝制作的LED。

　　晶能光電目前已經(jīng)獲得來(lái)自美國(guó)，臺(tái)灣和新加坡多家風(fēng)險(xiǎn)投資基金提供的5000多萬(wàn)美元的投資，包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。該公司目前用于顯示領(lǐng)域的小尺寸管芯(200-micron)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　最新的1x1mm 芯片研發(fā)成果將在第八屆國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議上公布，本次會(huì)議將于2009年10月18日-23日在韓國(guó)濟(jì)州島舉行。

　　結(jié)果描述了一種生長(zhǎng)于硅襯底(111)的高功率、倒裝焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜藍(lán)光和白光InGaN/GaN LED，盡管該公司也宣布開始采用6英寸晶園，不過(guò)本次卻采用2英寸襯底。

　　(編輯:FJ)