2007年6月7日，與中、美、韓、日政府相比，英國(guó)政府對(duì)基于LED的固態(tài)照明燈具在節(jié)能方面的潛力的認(rèn)知相對(duì)較慢，但其現(xiàn)在似乎已經(jīng)有所行動(dòng)，支持由Filtronic、Qinetiq 和劍橋大學(xué)組成團(tuán)隊(duì)基于6英寸硅襯底開(kāi)發(fā)GaN發(fā)射器，來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本芯片的制備。英國(guó)貿(mào)易工業(yè)部(DTI)已向這一團(tuán)隊(duì)授予了一份300萬(wàn)英磅(596萬(wàn)美元)的合同。制造手機(jī)和國(guó)防用GaAs射頻電路(在6英寸晶圓廠中制備)的Filtronic公司指出，項(xiàng)目如獲成功，英國(guó)將可能首次成為量產(chǎn)LED芯片的基地。

　　實(shí)際上，目前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的GaN LED都是在藍(lán)寶石或硅化硅(SiC)襯底上制備出來(lái)的。這兩種襯底都有一定的缺點(diǎn)：藍(lán)寶石生產(chǎn)向大尺寸晶片邁進(jìn)被證明有一定困難，而SiC相對(duì)來(lái)說(shuō)則比較昂貴。但Cree最近已開(kāi)始將其 GaN-on-SiC(碳化硅上氮化鎵)LED的生產(chǎn)向4英寸晶片轉(zhuǎn)移。另一方面，成本較低的GaN-on-silicon(硅上氮化鎵)LED還處于實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)階段。普通認(rèn)為日本Shimei Semiconductor公司正在將其擁有的GaN-on-silicon制備方法商業(yè)化，盡管該公司的網(wǎng)站上未有任何產(chǎn)品被披露。

　　合作團(tuán)隊(duì)認(rèn)為在6英寸硅襯底開(kāi)發(fā)GaN LED的新穎方法潛力很大，但還只是說(shuō)，這一項(xiàng)目將使固態(tài)照明路線圖前進(jìn)一大步，為英國(guó)進(jìn)入未來(lái)主流市場(chǎng)提供了一條路徑。這一技術(shù)采用的關(guān)鍵是成本，項(xiàng)目致力于通過(guò)研究大直徑襯底和成熟量產(chǎn)的一致性來(lái)開(kāi)發(fā)低成本解決方案。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/6/8/1)（編輯：ZQY）