單晶硅

　　單晶硅主要有直拉和區(qū)熔

　　區(qū)熔(NTD)單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。

　　各項(xiàng)參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。

　　多晶硅

　　區(qū)熔用多晶硅：可生產(chǎn)直徑Φ40mm-Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平>300Ω.㎝，受主水平>3000Ω.㎝，碳含量<2×1016at/㎝3 。各項(xiàng)參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。

　　切磨片

　　切磨片可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5″- Φ6″。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數(shù)符合并優(yōu)于國家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)，并可按客戶要求生產(chǎn)。

　　拋光片

　　拋光片可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2″- Φ6″，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數(shù)符合并優(yōu)于國家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)，并可按客戶要求生產(chǎn)。

　　高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999%。單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池，它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。

　　單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料;在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。

　　在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。現(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。

　　直拉硅單晶廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。區(qū)域熔單晶目前主要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。

　　區(qū)熔(NTD)單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。

　　直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。

　　硅單晶被稱為現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉(CZ)單晶硅和區(qū)熔(FZ)單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應(yīng)用于微電子領(lǐng)域，微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，使人類社會(huì)進(jìn)入了信息化時(shí)代，被稱為硅片引起的第一次革命。區(qū)熔單晶硅是利用懸浮區(qū)熔技術(shù)制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個(gè)方面。

　　1、制作電力電子器件

　　電力電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)電力管理，提高電功效率的關(guān)鍵技術(shù)。飛速發(fā)展的電力電子被稱為“硅片引起的第二次革命”，大多數(shù)電力電子器件是用區(qū)熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電、靜止無功補(bǔ)償、電力機(jī)車牽引、交直流電力傳動(dòng)、電解、勵(lì)磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統(tǒng)和電氣工程中。制作電力電子器件，是區(qū)熔單晶硅的傳統(tǒng)市場(chǎng)，也是本項(xiàng)目產(chǎn)品的市場(chǎng)基礎(chǔ)。

　　2、制作高效率太陽能光伏電池

　　太陽能目前已經(jīng)成為最受關(guān)注的綠色能源產(chǎn)業(yè)。美國、歐洲、日本都制定了大力促進(jìn)本國太陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，我國也于2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進(jìn)了太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計(jì)，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場(chǎng)一直保持高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，年平均增長(zhǎng)速度達(dá)到30%，預(yù)計(jì)到2010年，仍將保持至少25%的增長(zhǎng)速度。

　　晶體硅是目前應(yīng)用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，占光伏產(chǎn)業(yè)的85%以上。美國SunPower公司最近開發(fā)出利用區(qū)熔硅制作太陽能電池技術(shù)，其產(chǎn)業(yè)化規(guī)模光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20%，為目前產(chǎn)業(yè)化最高水平，其綜合性價(jià)比超過直拉單晶硅太陽能電池(光電轉(zhuǎn)換效率為15%)和多晶硅太陽能電池(光電轉(zhuǎn)換效率為12%)。這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)極大地?cái)U(kuò)展區(qū)熔硅單晶的市場(chǎng)空間。據(jù)估計(jì)，到2010年，其總的市場(chǎng)規(guī)模到將達(dá)到電力電子需求規(guī)模，這是本項(xiàng)目新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

　　3、制作射頻器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)

　　區(qū)熔單晶還可以用來制作部分分立器件。另外采用高阻區(qū)熔硅制造微波單片集成電路(MMIC)以及微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)等高端微電子器件，被廣泛應(yīng)用于微波通訊、雷達(dá)、導(dǎo)航、測(cè)控、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，顯示出巨大的應(yīng)用前景。這也是區(qū)熔單晶的又一個(gè)新興的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

　　4、制作各種探測(cè)器、傳感器，遠(yuǎn)紅外窗口

　　探測(cè)器、傳感器是工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵元器件，被廣泛應(yīng)用于光探測(cè)、光纖通訊、工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中以及醫(yī)療、軍事、電訊、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。高純的區(qū)熔硅單晶是制作各種探測(cè)器、傳感器的關(guān)鍵原材料，其市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)也很明顯。