其實(shí)這問(wèn)題也好理解。性能兼容性的問(wèn)題就是要解決各功能模塊間的EMC問(wèn)題。因?yàn)楝F(xiàn)在由眾多IC實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能是不存在很大的問(wèn)題的。各模塊都能表現(xiàn)出良好的性能。但是并不是所有的模塊在任何情況，場(chǎng)合都能表現(xiàn)出色。這中間有一個(gè)很重要的問(wèn)題就是如何處理各功能模塊的兼容性的問(wèn)題。要讓每個(gè)模塊都發(fā)揮其優(yōu)越性能而不至于影響到其它模塊，并能使整個(gè)系統(tǒng)的EMC指標(biāo)達(dá)到要求。這是存在數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)，高頻與低頻信號(hào)之間的相容，相制約的問(wèn)題。往往是模擬信號(hào)去干擾數(shù)字信號(hào)或高頻信號(hào)(包括高頻雜訊)去干擾低頻信號(hào)。有時(shí)其表現(xiàn)為功能性的干擾，這可以實(shí)際測(cè)試到，通過(guò)調(diào)試修整可以得到有效抵制;但有時(shí)其表現(xiàn)為EMC方面，這樣使調(diào)試難度加大，有時(shí)甚至于找不到正確的方向性。

　　所在設(shè)計(jì)之初要充分注意到這些可能性，如何歸避模塊間的干擾源的干擾作用，會(huì)讓你的設(shè)計(jì)事半功倍。如在開(kāi)關(guān)電源與恒流模塊間的器件布局，電源與控制模塊的布局，特別是在控制模塊有MCU，晶振時(shí)更加要注意。其晶振所引起的高頻及倍頻是非常敏感信號(hào)源，很容易跑到線(xiàn)上干擾系統(tǒng)。我們一般會(huì)在相關(guān)信號(hào)控制線(xiàn)上加磁珠，電阻的衰減高頻干擾的措施。

　　對(duì)于熱設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，可能現(xiàn)在在電子產(chǎn)品中最關(guān)健或最難解決的問(wèn)題便是熱設(shè)計(jì)問(wèn)題了。我們知道產(chǎn)品向著小型化，微型化發(fā)展。這就直接提高了單位體積的功率密度，提高功率密度就要求產(chǎn)品要有好的散熱性能。因?yàn)橐粋€(gè)功能的實(shí)現(xiàn)它總得有能量的傳遞過(guò)程發(fā)生，同時(shí)各傳遞能量的路徑中總存在相應(yīng)的阻抗，所以就會(huì)有熱損耗在里面。因此，一個(gè)產(chǎn)品的熱設(shè)計(jì)的好壞直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量。