定義

　　利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構(gòu)造。帶隙較窄的層的電勢(shì)要比周?chē)?帶隙較寬的層)低，因此形成了勢(shì)阱(量子阱)。在LED和半導(dǎo)體激光器中，量子阱構(gòu)造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構(gòu)造被稱(chēng)為多重量子阱(MQW：multiquantum well)。

　　藍(lán)色LED等是通過(guò)改良量子阱構(gòu)造等GaN類(lèi)結(jié)晶層的構(gòu)造取得進(jìn)展的。GaN類(lèi)LED在成為MIS(metal-insulatorsemiconductor)構(gòu)造，pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，采用單一量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造以及采用多重量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的過(guò)程中，其亮度和色純度得到了提高。采用MIS構(gòu)造的藍(lán)色LED在還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)p型GaN膜時(shí)，就被廣泛開(kāi)發(fā)并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化。缺點(diǎn)是光強(qiáng)只有數(shù)百mcd。p型GaN膜被造出來(lái)之后，采用pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的藍(lán)色LED得以實(shí)現(xiàn)。與MIS構(gòu)造相比，發(fā)光亮度達(dá)到了1cd，是前者的10倍左右。如果用多重量子阱構(gòu)造來(lái)取代pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，發(fā)光光度和色純度會(huì)進(jìn)一步提高(發(fā)光光譜的半值幅度變窄)。

　　GaN類(lèi)藍(lán)色發(fā)光二極管的構(gòu)造變遷

　　(a)為采用MIS(metal-insulator-semiconductor)構(gòu)造的藍(lán)色LED。

　　(b)為采用多重量子阱(MQW ：multi quantum well)構(gòu)造的藍(lán)色LED。

　　雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造是指在LED和半導(dǎo)體激光器等中，在活性層的兩側(cè)設(shè)置了能隙比活性層還要大的包覆層的構(gòu)造。可獲得將電子和空穴封閉在活性層內(nèi)的效果。所以發(fā)光元件采用雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的話(huà)，可提高光輸出。另外，只在活性層的一側(cè)設(shè)置能隙較大的包覆層的構(gòu)造被稱(chēng)為單異質(zhì)結(jié)。

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