在科學(xué)院的組件中，量子阱的發(fā)光波長(zhǎng)約為440 nm，量子點(diǎn)則發(fā)出545 nm或波長(zhǎng)更長(zhǎng)的光。額外的銦沉淀可以增加量子點(diǎn)的大小與密度，除了讓原始量子點(diǎn)的發(fā)光峰值波長(zhǎng)變長(zhǎng)外，在495 nm處也會(huì)產(chǎn)生另一個(gè)峰。

　　該研究團(tuán)隊(duì)在GaN/InGaN量子阱的底部加入一層InGaN，原本是用來收集載子，以提高發(fā)光強(qiáng)度。在研究過程中，他們嘗試在LED晶圓底部沉積晶格部分松弛的InGaN厚膜，結(jié)果發(fā)現(xiàn)改變InGaN層的厚度，會(huì)影響GaN晶體中的應(yīng)變(strain)分布，進(jìn)而改變量子點(diǎn)的濃度。當(dāng)?shù)讓雍穸葹?60 、190及220 nm時(shí)，晶粒發(fā)光的顏色分別為綠光、黃綠光及白光。

　　由電激發(fā)光光譜(Electroluminescent spectra)可以發(fā)現(xiàn)，第一顆LED的發(fā)光波長(zhǎng)有兩個(gè)，其它兩顆則為三個(gè)。三顆LED底層的含銦比例都是4.4%，其中底層最薄的LED保留有最多的雙軸應(yīng)變(biaxial-strain)，陳弘等人推算其InGaN層的晶格松弛比率約為9.6%，相形之下，底層最厚者的松弛比高達(dá)64.4%。

　　研究人員利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察發(fā)現(xiàn)，InGaN底層最薄時(shí)，由于結(jié)構(gòu)較完整，因此應(yīng)變會(huì)降低含銦量子點(diǎn)的沉淀。這個(gè)方法的缺點(diǎn)在于當(dāng)?shù)讓雍穸仍黾訒r(shí)，激發(fā)光強(qiáng)度會(huì)降低。陳弘等人認(rèn)為這是因?yàn)楦叨染Ц袼沙谝鸬腻e(cuò)位(dislocations)變成非輻射復(fù)合(non-radiative recombination)的中心。

　　陳弘承認(rèn)這項(xiàng)技術(shù)若要商業(yè)化量產(chǎn)白光LED，必需先克服一致性(uniformity)與再現(xiàn)性(reproducibility)的問題。他指出，波長(zhǎng)的再現(xiàn)性取決于nGaN底層的成份及厚度，因此對(duì)長(zhǎng)晶溫度十分敏感。